[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910189397.6 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110838446A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 张开泰;李东颖;雲惟胜;王梓仲;何嘉政;林铭祥;陈自强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：
形成一第一隔离绝缘层在多个鳍片之间；
形成一虚设氧化层在所述多个鳍片及该第一隔离绝缘层上；
形成多个多晶硅层在所述多个鳍片上及在所述多个鳍片的多个边缘区域上，其中所述多个鳍片的所述多个边缘区域是在所述多个鳍片的一纵向方向(x方向)的一端上；
形成多个侧壁间隙壁层在所述多个多晶硅层上；
蚀刻所述多个鳍片的多个源极/漏极区域，借以形成多个源极/漏极空间，其中所述多个源极/漏极区域未被所述多个侧壁间隙壁层所覆盖；
形成多个源极/漏极磊晶层在所述多个源极/漏极空间内；
形成多个层间介电层在所述多个源极/漏极磊晶层上；
蚀刻所述多个多晶硅层；以及
形成多个间隙壁虚设栅极层在所述多个多晶硅层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
