[发明专利]发光器件和照明设备

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

基板；

发光结构，所述发光结构被布置在所述基板上，

第一电极和扩散阻挡层，所述第一电极和所述扩散阻挡层被电连接到所述发光结构；

第一绝缘层，所述第一绝缘层被布置在所述发光结构上；

第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在所述第一绝缘层上；以及

第一结合层和第二结合层，所述第一结合层和所述第二结合层被设置在所述第二绝缘层上，

其中，所述发光结构包括第一导电类型半导体层和在所述第一导电类型半导体层上布置的发光构件，

其中，所述发光构件包括有源层和第二导电类型半导体层，

其中，所述第一电极被电连接到所述第一导电类型半导体层，

其中，所述扩散阻挡层被电连接到所述第二导电类型半导体层，

其中，所述第一电极包括接触所述发光构件的第一子部和在所述第一子部上布置的第二子部，

其中，所述扩散阻挡层与所述第一子部的一部分在第一方向上重叠，

其中，所述第一绝缘层的一部分被布置在所述扩散阻挡层和所述第一子部之间，

其中，所述第二绝缘层包括接触所述扩散阻挡层的顶表面的第一部分、接触所述第二子部的顶表面的第二部分和接触所述第一绝缘层的顶表面的第三部分，

其中，所述第三部分被布置在所述第一部分和所述第二部分之间，

其中，所述第一结合层接触所述第二绝缘层的顶表面，

其中，所述第二结合层接触所述扩散阻挡层，

其中，所述第一结合层接触所述第二子部，

其中，所述第二绝缘层的第一部分、所述第二绝缘层的第二部分和所述第二绝缘层的第三部分与所述第二结合层在第二方向上重叠，

所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第二方向为所述发光结构的厚度方向，以及

其中，所述第二绝缘层包括与所述第一绝缘层中包括的材料不同的材料。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一绝缘层包括Si_xO_y和TiO₂中的至少一个，以及

其中，所述第二绝缘层包括Si_xN_y。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述扩散阻挡层与所述第二子部间隔开。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述扩散阻挡层的厚度大于所述第二子部的厚度。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二绝缘层包括第一孔和第二孔，

其中，所述第一结合层的一部分被布置在所述第一孔中，并且所述第二结合层的一部分被布置在所述第二孔中，以及

其中，所述第一结合层直接地接触所述第二子部，并且所述第二结合层直接地接触所述扩散阻挡层。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述扩散阻挡层包括直接地接触所述第二结合层的第一接触部分，

其中，所述第二子部包括直接地接触所述第一结合层的第二接触部分，以及

其中，所述第一接触部分和所述第二接触部分被布置在所述发光构件上方。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述第二导电类型半导体层的顶表面和所述扩散阻挡层的顶表面之间的第一高度与在所述第二导电类型半导体层的顶表面与所述第二子部的顶表面之间的第二高度相同。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一结合层的顶表面和所述第二结合层的顶表面被布置在同一平面上并且彼此分离。

9.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第一绝缘层包括开口区域，

其中，所述扩散阻挡层被布置在所述第一绝缘层的开口区域中，以及

其中，所述第二绝缘层的第二孔与所述开口区域在所述第二方向上重叠。