[发明专利]堆叠式存储器装置及其操作方法、存储器系统有效

专利信息
申请号: 201910192696.5 申请日: 2019-03-14
公开(公告)号: CN110751976B 公开(公告)日: 2023-09-05
发明(设计)人: 崔颜 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/18 分类号: G11C29/18;G11C29/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 史泉;王兆赓
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 堆叠 存储器 装置 及其 操作方法 系统
【说明书】:

公开堆叠式存储器装置及其操作方法、存储器系统。所述堆叠式存储器装置包括:缓冲器裸片、堆叠在缓冲器裸片上的多个存储器裸片和多个硅通孔(TSV)。缓冲器裸片与外部装置通信。TSV延伸通过所述多个存储器裸片以连接到缓冲器裸片。每个存储器裸片包括存储器单元阵列,存储器单元阵列包括结合到多条字线和多条位线的多个动态存储器单元。缓冲器裸片包括测试电路,在测试模式下,测试电路对与所述多个存储器裸片中的一个存储器裸片相应的目标存储器裸片的动态存储器单元执行测试,并将包括至少一个缺陷单元的存储器单元行的地址存储在除了目标存储器裸片之外的其他存储器裸片的至少一个列解码器中。

本申请要求于2018年7月23日提交到韩国知识产权局(KIPO)的第10-2018-0085119号韩国专利申请的优先权权益,所述韩国专利申请的公开通过完整引用包含于此。

技术领域

本发明构思的各种示例实施例涉及存储器(例如,存储器装置、存储器芯片等),更具体地讲,涉及堆叠式存储器装置、存储器系统和/或操作堆叠式存储器装置的方法。

背景技术

可用作最新的电子装置中的存储装置的半导体存储器的容量和速度二者在增加。此外,正在进行各种尝试以在更小的空间内安装具有更大容量的存储器并有效地操作存储器。

最近,为了增加半导体存储器的集成度,已经应用包括多个堆叠式存储器芯片的三维(3D)结构来代替二维(2D)存储器结构。基于对大集成度和大容量存储器的需求,已经开发采用存储器芯片的3D堆叠式结构的结构,以增加存储器的容量,通过减小半导体芯片的尺寸来增加集成度,并且降低用于制造存储器芯片的成本。

发明内容

一个或多个示例实施例可提供一种能够增加用于存储故障地址(例如,故障的存储器地址)的存储空间的堆叠式存储器装置。

一个或多个示例实施例可提供一种包括能够增加用于存储故障地址的存储空间的堆叠式存储器装置的存储器系统。

一个或多个示例实施例可提供一种操作能够增加用于存储故障地址的存储空间的堆叠式存储器装置的方法。

根据一个或多个示例实施例,一种堆叠式存储器装置包括:缓冲器裸片,被配置为与至少一个外部装置通信,缓冲器裸片包括测试电路;多个存储器裸片,堆叠在缓冲器裸片上,所述多个存储器裸片中的每个包括存储器单元阵列,存储器单元阵列包括结合到多条字线和多条位线的多个动态存储器单元;多个硅通孔(TSV),延伸通过所述多个存储器裸片并连接到缓冲器裸片,在所述堆叠式存储器装置的测试模式期间,测试电路被配置为:对与所述多个存储器裸片中的至少一个存储器裸片相应的目标存储器裸片的动态存储器单元执行测试,所述测试用于检测目标存储器裸片的至少一个缺陷单元,并且将包括通过所述测试检测到的所述至少一个缺陷单元的存储器单元行的地址作为故障地址信息存储在所述多个存储器裸片中的另一存储器裸片的至少一个列解码器中,所述另一存储器裸片不是目标存储器裸片。

根据一个或多个示例实施例,一种存储器系统包括:存储器控制器,被配置为控制堆叠式存储器装置;堆叠式存储器装置,堆叠式存储器装置包括:缓冲器裸片,被配置为与存储器控制器通信,缓冲器裸片包括测试电路;多个存储器裸片,堆叠在缓冲器裸片上,所述多个存储器裸片中的每个存储器裸片包括存储器单元阵列,存储器单元阵列包括结合到多条字线和多条位线的多个动态存储器单元;多个硅通孔(TSV),延伸通过所述多个存储器裸片以连接到缓冲器裸片,在所述堆叠式存储器装置的测试模式期间,测试电路被配置为:响应于来自存储器控制器的测试命令或测试模式寄存器组(TMRS),对与所述多个存储器裸片中的至少一个存储器裸片相应的目标存储器裸片的动态存储器单元执行测试,所述测试用于检测目标存储器裸片的至少一个缺陷单元,将包括通过所述测试检测到的所述至少一个缺陷单元的存储器单元行的地址作为故障地址信息存储在所述多个存储器裸片中的另一存储器裸片的至少一个列解码器中,所述另一存储器裸片不是目标存储器裸片。

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