[发明专利]不包含氟的蚀刻液组合物

说明书

本发明揭示用于液晶显示装置或有机发光二极管显示装置等的不包含氟的钼铜合金膜蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物包含：过氧化氢5重量百分比至20重量百分比、四氮环状化合物0.01重量百分比至1.5重量百分比、三氮环状化合物0.01至1.5重量百分比、芳香族化合物0.01重量百分比至1重量百分比、胺类化合物3重量百分比至10重量百分比、以及水，还包含钼铜蚀刻液组合物，所述钼铜蚀刻液组合物还包含：过氧化氢稳定剂1重量百分比至5重量百分比、有机酸1重量百分比至5重量百分、无机酸0.1重量百分比至5重量百分比以及磺酸化合物1重量百分比至5重量百分比。

技术领域

本发明涉及不包含氟的蚀刻液组合物，更详细地，涉及用于液晶显示装置或有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)显示装置等的不包含氟的钼铜合金膜蚀刻液组合物。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Firm Transistor，TFT)为在液晶显示装置或有机发光二极管显示装置等中，向各个像素施加特定信号来驱动的电路。薄膜晶体管的结构包括传递扫描信号的栅极配线、传递图像信号的数据配线及与所述两个配线相连接的像素电极等。薄膜晶体管由形成栅极电极和通道的半导体层、作为数据配线的一部分的源电极及漏极形成，构成它们的金属薄膜大部分由Mo/Cu、MoTi/Cu、Ti/Cu构成。薄膜晶体管制造工序通过如下蚀刻过程完成，即，在玻璃基板上层叠栅极或源电极、漏极用配线材料的金属层，通过具有腐蚀性的气体或溶液对这些金属层进行蚀刻来体现所需要的电路的线路。通常，用于蚀刻工序的蚀刻液包含过氧化氢类蚀刻液和非过氧化氢类蚀刻液，过氧化氢类蚀刻液可使用包含氟的蚀刻液。在包含氟的蚀刻液的情况下，在作为活化层(active layer)的非晶硅(amorphous silicon)引起损伤(damage)，从而发生有可能对晶体管的驱动特性产生不利影响的余地和废水处理器费用发生等的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供钼铜合金膜蚀刻液组合物，即，对钼(Mo)铜(Cu)双重薄膜进行蚀刻并可控制钼(Molybdenum)残留物，且不会发生底切。

本发明的另一目的在于，提供不包含氟的钼铜合金膜蚀刻液组合物，其抑制过氧化氢的分解反应，与以往过氧化氢类蚀刻液相比，稳定性得到提高。

为了实现所述目的，本发明提供包含如下物质的蚀刻液组合物：过氧化氢5重量百分比至20重量百分比、四氮环状化合物0.01重量百分比至1.5重量百分比、三氮环状化合物0.01重量百分比至1.5重量百分比、芳香族化合物0.01重量百分比至1重量百分比、以及水。

本发明的不包含氟的蚀刻液组合物可制备能够控制钼(Molyb denum)的残留物(残渣，residue)及底切的蚀刻液组合物。

附图说明

图1为包含通过本发明实施例1至13的蚀刻组合物进行蚀刻的层叠的钼铜双重膜及光刻胶图案的样品的扫描电子显微镜照片。

图2为包含通过本发明比较例1至9的蚀刻组合物进行蚀刻的层叠的钼铜双重膜及光刻胶图案的样品的扫描电子显微镜照片。

图3为包含通过本发明参照例13至16的蚀刻组合物进行蚀刻的层叠的钼铜双重膜及光刻胶图案的样品的扫描电子显微镜照片。

具体实施方式

以下，更加详细说明本发明。

本发明作为钼铜合金膜蚀刻液组合物，包含过氧化氢、四氮环状化合物、三氮环状化合物、胺类化合物、芳香族化合物及水，所述钼铜合金膜蚀刻液组合物作为不包含氟的蚀刻液组合物，对铜类金属膜进行蚀刻。