[发明专利]垂直存储器装置和制造垂直存储器装置的方法

权利要求书

1.垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：

栅极结构，包括第一栅电极且位于基底的外围电路区域上，基底包括单元区域和外围电路区域；

多个第二栅电极，顺序地堆叠在基底的单元区域上，所述多个第二栅电极在相对于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开；

沟道，在基底的单元区域上沿竖直方向延伸并且穿过所述多个第二栅电极中的至少一个第二栅电极延伸；以及

第一绝缘夹层，覆盖在基底的外围电路区域上的栅极结构，第一绝缘夹层的在竖直方向上与栅极结构叠置的部分的上表面的在一个方向上的竖直剖面具有多边形的部分的形状。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：

第二绝缘夹层，位于第一绝缘夹层上，

其中，第二绝缘夹层的部分的上表面的在所述一个方向上的竖直剖面具有与第一绝缘夹层的所述部分的上表面的竖直剖面的形状对应的弯曲的形状。

3.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，第一绝缘夹层和第二绝缘夹层分别包括高密度等离子体氧化物和正硅酸四乙酯。

4.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：

第三绝缘夹层，位于第二绝缘夹层上，

其中，第三绝缘夹层具有平坦的上表面。

5.根据权利要求4所述的垂直存储器装置，其中，第二绝缘夹层和第三绝缘夹层包括基本相同的材料。

6.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，所述多个第二栅电极包括在竖直方向上顺序地堆叠在基底上的第三栅电极至第五栅电极，

其中，第一绝缘夹层也位于基底的单元区域上以覆盖第三栅电极。

7.根据权利要求6所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：

第二绝缘夹层，位于所述第一绝缘夹层和第四栅电极之间。

8.根据权利要求7所述的垂直存储器装置，其中，第一绝缘夹层和第二绝缘夹层分别包括高密度等离子体氧化物和正硅酸四乙酯。

9.根据权利要求7所述的垂直存储器装置，其中，第一绝缘夹层和第二绝缘夹层中的每个的一部分的上表面在基底的单元区域上具有凹进形状。

10.根据权利要求9所述的垂直存储器装置，其中，第一绝缘夹层的上表面的凹进部分在所述一个方向上具有拥有多边形的一部分的形状的竖直剖面，第二绝缘夹层的上表面的凹进部分在所述一个方向上具有拥有与第一绝缘夹层的上表面的凹进部分的竖直剖面的形状对应的弯曲的形状的竖直剖面。

11.根据权利要求9所述的垂直存储器装置，其中，第四栅电极中的一个或多个具有凹进部分。

12.根据权利要求6所述的垂直存储器装置，其中，第三栅电极、第四栅电极和第五栅电极分别用作地选择线、子线和串选择线。

13.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：

栅极结构，包括第一栅电极且位于基底的外围电路区域上，基底包括单元区域和外围电路区域；

第二栅电极，位于基底的单元区域上；

第一绝缘夹层，位于基底的单元区域和外围电路区域上，第一绝缘夹层覆盖栅极结构和第二栅电极；

第二绝缘夹层，位于第一绝缘夹层上；

第三栅电极和第四栅电极，在基底的单元区域上顺序地堆叠在第二绝缘夹层的一部分上，第三栅电极和第四栅电极在相对于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开；

沟道，在竖直方向上穿过第三栅电极和第四栅电极延伸，

其中，第一绝缘夹层的在基底的外围电路区域上的至少一部分的上表面具有角状的突起和凹陷形状。