[发明专利]垂直存储器装置和制造垂直存储器装置的方法

说明书

提供了一种垂直存储器装置和一种制造垂直存储器装置的方法。垂直存储器装置包括：栅极结构，包括第一栅电极且位于基底的外围电路区域上，基底包括单元区域和外围电路区域；多个第二栅电极，顺序地堆叠在基底的单元区域上，所述多个第二栅电极在相对于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开；沟道，在基底的单元区域上沿竖直方向延伸并且穿过所述多个第二栅电极中的至少一个第二栅电极延伸；以及第一绝缘夹层，覆盖在基底的外围电路区域上的栅极结构，第一绝缘夹层的在竖直方向上与栅极结构叠置的部分的上表面的在一个方向上的竖直剖面具有多边形的部分的形状。

本申请要求于2018年4月9日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0040936号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用而全部包含于此。

技术领域

示例实施例涉及垂直存储器装置以及制造该垂直存储器装置的方法。

背景技术

在包括单元区域和外围电路区域的基底上制造VNAND闪存装置时，可以在外围电路区域上形成栅极结构，可以在单元区域和外围电路区域上形成覆盖栅极结构的绝缘夹层。由于栅极结构，绝缘夹层会具有不平坦的上表面，因此，会对绝缘夹层执行平坦化工艺。然而，在平坦化工艺期间，绝缘夹层的上表面会在基底的单元区域上被划伤，VNAND闪存装置的特性会劣化。

发明内容

示例实施例提供一种具有改善的电学特性的垂直存储器装置。

示例实施例提供一种制造具有改善的电学特性的垂直存储器装置的方法。

根据示例实施例，提供了一种垂直存储器装置。垂直存储器装置可以包括：栅极结构，包括第一栅电极且位于基底的外围电路区域上，基底包括单元区域和外围电路区域；多个第二栅电极，顺序地堆叠在基底的单元区域上，所述多个第二栅电极在相对于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开；沟道，在基底的单元区域上沿竖直方向延伸并且穿过所述多个第二栅电极中的至少一个第二栅电极延伸；以及第一绝缘夹层，覆盖在基底的外围电路区域上的栅极结构，第一绝缘夹层的在竖直方向上与栅极结构叠置的部分的上表面的在一个方向上的竖直剖面具有多边形的部分的形状。

根据示例实施例，提供了一种垂直存储器装置。垂直存储器装置可以包括：栅极结构，包括第一栅电极且位于基底的外围电路区域上，基底包括单元区域和外围电路区域；第二栅电极，位于基底的单元区域上；第一绝缘夹层，位于基底的单元区域和外围电路区域上，第一绝缘夹层覆盖栅极结构和第二栅电极；第二绝缘夹层，位于第一绝缘夹层上；第三栅电极和第四栅电极，在基底的单元区域上顺序地堆叠在第二绝缘夹层的一部分上，第三栅电极和第四栅电极在相对于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开；沟道，在竖直方向上穿过第三栅电极和第四栅电极延伸。在示例实施例中，第一绝缘夹层的在基底的外围电路区域上的至少一部分的上表面可以具有角状的突起和凹陷形状。

根据示例实施例，提供了一种垂直存储器装置。垂直存储器装置可以包括：栅极结构，包括位于基底的外围电路区域上的第一栅电极，基底包括单元区域和外围电路区域；多个第二栅电极，顺序地堆叠在基底的单元区域上，所述多个第二栅电极在相对于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开；沟道，在基底的单元区域上沿竖直方向穿过所述多个第二栅电极中的至少一个第二栅电极延伸；以及第一绝缘夹层至第三绝缘夹层，顺序地堆叠在基底的外围电路区域上。在示例实施例中，第一绝缘夹层可以覆盖栅极结构，第一绝缘夹层的至少一部分的上表面可以具有角状的突起和凹陷形状，第二绝缘夹层的部分的上表面可以具有与第一绝缘夹层的所述至少一部分的上表面的形状对应的倒圆的突起和凹陷形状，第三绝缘夹层可以具有平坦的上表面。