[发明专利]移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置

权利要求书

1.一种移位寄存器单元，包括衬底，以及设置在衬底上的第一充电晶体管、第一放电晶体管和第一存储电容，其中，第一放电晶体管的沟道宽长比小于第一充电晶体管的沟道宽长比，其中，

所述衬底包括第一矩形区域，所述第一矩形区域具有沿第一方向的长度和沿与第一方向垂直的第二方向的宽度，

第一放电晶体管在所述衬底上的正投影与第一存储电容在所述衬底上的正投影沿第一方向排列在所述第一矩形区域中，并且第一放电晶体管和第一存储电容在所述衬底上的正投影与第一充电晶体管在所述衬底上的正投影沿第二方向排列在所述第一矩形区域中；

其中，所述第一方向是所述移位寄存器单元用于驱动的像素行的延伸方向，且第一放电晶体管和第一充电晶体管的宽度方向为所述第一方向；

所述移位寄存器单元还包括第一附加放电晶体管，其中，

第一附加放电晶体管在所述衬底上的正投影与第一放电晶体管在所述衬底上的正投影沿第二方向排列在所述第一矩形区域中，第一放电晶体管和第一附加放电晶体管在所述衬底上的正投影与第一存储电容在所述衬底上的正投影沿第一方向排列在所述第一矩形区域中，并且第一放电晶体管、第一附加放电晶体管和第一存储电容在所述衬底上的正投影与第一充电晶体管在所述衬底上的正投影沿第二方向排列在所述第一矩形区域中。

2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其中，所述第一放电晶体管、第一存储电容和第一充电晶体管在所述衬底上的正投影紧密地覆盖所述第一矩形区域。

3.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其中，第一放电晶体管的沟道为沿第一方向延伸的条状结构。

4.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其中，第一充电晶体管的沟道为沿第一方向延伸的条状结构或包括多个沿第一方向延伸的条状结构的叉指结构。

5.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其中，第一矩形区域的宽度等于像素尺寸。

6.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其中，第一放电晶体管的第一极和第二极之一与第一充电晶体管的第一极和第二极之一的一部分复用同一电极结构。

7.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，还包括第一输出信号端、第一充电信号端和第一放电信号端，

第一充电晶体管的控制极与充电节点电连接，第一充电晶体管的第一极与第一充电信号端电连接，第一充电晶体管的第二极与第一输出信号端电连接，第一充电晶体管被配置为在充电节点的电压的控制下将来自第一充电信号端的第一充电信号传送到第一输出信号端，

第一放电晶体管的控制极与放电节点电连接，第一放电晶体管的第一极与第一放电信号端电连接，第一放电晶体管的第二极与第一输出信号端电连接，第一放电晶体管被配置为在放电节点的电压的控制下将来自第一放电信号端的第一放电信号传送到第一输出信号端，

第一存储电容的第一端电连接到充电节点，第一存储电容的第二端电连接到第一输出信号端。

8.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其中，所述第一放电晶体管、第一附加放电晶体管、第一存储电容和第一充电晶体管在所述衬底上的正投影紧密地覆盖所述第一矩形区域。

9.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其中，第一附加放电晶体管的沟道为沿第一方向延伸的条状结构。

10.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其中，第一附加放电晶体管的第一极和第二极之一与第一放电晶体管的第一极和第二极之一复用同一电极结构。

11.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，还包括第一附加放电信号端，

第一附加放电晶体管的控制极与附加放电节点电连接，第一附加放电晶体管的第一极与第一附加放电信号端电连接，第一附加放电晶体管的第二极与第一输出信号端电连接，第一附加放电晶体管被配置为在附加放电节点的电压的控制下将来自第一附加放电信号端的第一附加放电信号传送到第一输出信号端。