[发明专利]移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置

说明书

本公开提供了一种移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置。移位寄存器单元包括衬底，以及设置在衬底上的第一充电晶体管、第一放电晶体管和第一存储电容。第一放电晶体管的沟道宽长比小于第一充电晶体管的沟道宽长比。衬底包括第一矩形区域，所述第一矩形区域具有沿第一方向的长度和沿与第一方向垂直的第二方向的宽度。第一放电晶体管在所述衬底上的正投影与第一存储电容在所述衬底上的正投影沿第一方向排列在所述第一矩形区域中，并且第一放电晶体管和第一存储电容在所述衬底上的正投影与第一充电晶体管在所述衬底上的正投影沿第二方向排列在所述第一矩形区域中。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体地涉及一种移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置。

背景技术

在基于薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的液晶显示器(Liquid CrystalDevice，LCD)或有源矩阵有机发光显示器(Active Matrix Organic Light EmittingDisplay,AMOLED)中，可以将阵列基板栅极驱动电路(Gate drive On Array，GOA)形成于显示面板的边框处，以向各个像素行提供栅极驱动信号。GOA包括多个级联的移位寄存器单元，每个移位寄存器单元用于驱动一个像素行。移位寄存器单元在像素行排列方向的尺寸受到像素尺寸的限制。

发明内容

本公开提出了一种移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置。

根据本公开的一个方面，提供了一种移位寄存器单元。所述移位寄存器单元包括衬底以及设置在衬底上的第一充电晶体管、第一放电晶体管和第一存储电容。第一放电晶体管的沟道宽长比小于第一充电晶体管的沟道宽长比。所述衬底包括第一矩形区域，所述第一矩形区域具有沿第一方向的长度和沿与第一方向垂直的第二方向的宽度。第一放电晶体管在所述衬底上的正投影与第一存储电容在所述衬底上的正投影沿第一方向排列在所述第一矩形区域中，并且第一放电晶体管和第一存储电容在所述衬底上的正投影与第一充电晶体管在所述衬底上的正投影沿第二方向排列在所述第一矩形区域中。

在一些实施例中，所述第一放电晶体管、第一存储电容和第一充电晶体管在所述衬底上的正投影紧密地覆盖所述第一矩形区域。

在一些实施例中，第一放电晶体管的沟道为沿第一方向延伸的条状结构。

在一些实施例中，第一充电晶体管的沟道为沿第一方向延伸的条状结构或包括多个沿第一方向延伸的条状结构的叉指结构。

在一些实施例中，所述第一方向是所述移位寄存器单元用于驱动的像素行的延伸方向，以及第一矩形区域的宽度等于像素尺寸。

在一些实施例中，第一放电晶体管的第一极和第二极之一与第一充电晶体管的第一极和第二极之一的一部分复用同一电极结构。

在一些实施例中，所述移位寄存器单元还包括第一输出信号端、第一充电信号端和第一放电信号端。第一充电晶体管的控制极与充电节点电连接，第一充电晶体管的第一极与第一充电信号端电连接，第一充电晶体管的第二极与第一输出信号端电连接，第一充电晶体管被配置为在充电节点的电压的控制下将来自第一充电信号端的第一充电信号传送到第一输出信号端。第一放电晶体管的控制极与放电节点电连接，第一放电晶体管的第一极与第一放电信号端电连接，第一放电晶体管的第二极与第一输出信号端电连接，第一放电晶体管被配置为在放电节点的电压的控制下将来自第一放电信号端的第一放电信号传送到第一输出信号端。第一存储电容的第一端电连接到充电节点，第一存储电容的第二端电连接到第一输出信号端。