[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910193191.0 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110277368A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 塚越功二 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L23/49;H01L23/528;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 日本千叶县千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体装置 密封树脂 外引线部 树脂部 引线部 引线脚 底面 半导体芯片 内引线部 区域形成 树脂脱落 延伸设置 切口部 外侧面 自密封 裸片 抬升 封装 制造 包围 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
裸片垫；
半导体芯片，搭载于所述裸片垫上；
引线；及
密封树脂，以使所述引线局部露出的方式将所述裸片垫、所述半导体芯片及所述引线密封；并且
所述引线具有外引线部与经由自所述外引线部延伸设置的引线脚部而抬升的内引线部，
在所述内引线部的底面设置有作为所述密封树脂的一部分的支持树脂部，
在由所述支持树脂部的底面及所述外引线部与所述引线脚部的外侧面包围的区域形成有无所述密封树脂的切口部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述内引线部的厚度薄于所述外引线部的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述引线脚部相对于所述外引线部的底面垂直设置。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述引线脚部相对于所述外引线部的底面垂直设置。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述引线脚部相对于所述外引线部的底面倾斜。
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述引线脚部相对于所述外引线部的底面倾斜。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：在所述外引线部的底面与外侧面及所述引线脚部的外侧面设置有镀层膜。
8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：
准备具有裸片垫与配置于所述裸片垫的周围的引线的引线框架的工序，所述引线包含外引线部与经由自所述外引线部延伸设置的引线脚部而抬升的内引线部；
准备在与所述引线对应的位置具有下模具凸部的模具的工序；
在所述裸片垫上搭载半导体芯片并将所述半导体芯片与所述引线电性连接的工序；
以所述引线与所述下模具凸部对应的方式进行对位而将所述引线框架设置于所述模具的工序；
在所述模具中进行树脂封入而形成统一密封块的工序；及
将所述统一密封块单片化的工序。
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在准备所述引线框架的工序中，将所述内引线部减薄。
10.根据权利要求8或9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在将所述统一密封块单片化的工序后包括对所述引线进行蚀刻的工序。
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