[发明专利]一种AMOLED透明显示像素结构在审
| 申请号： | 201910193240.0 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN109979974A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 尚飞;向勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素结构 透明显示 子像素 透明区域 像素 相邻子像素 底部位置 顶部位置 有效解决 发光区 透光率 位置处 横纹 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种AMOLED透明显示像素结构，包括多个像素，每个像素包括三个不同颜色的子像素，每个子像素的发光区设置透明区域，其特征在于，所述像素结构中相邻子像素中的透明区域位于子像素的不同位置。
2.根据权利要求1所述的AMOLED透明显示像素结构，其特征在于，所述像素结构中，每个像素中的透明区域形成“V”形、倒“V”形或阶梯形。
3.根据权利要求1所述的AMOLED透明显示像素结构，其特征在于，所述每个像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素三个子像素。
4.根据权利要求1所述的AMOLED透明显示像素结构，其特征在于，所述透明区域的面积为子像素面积的10％～30％。
5.根据权利要求1所述的AMOLED透明显示像素结构，其特征在于，所述透明区域为矩形或圆形。
6.根据权利要求1所述的AMOLED透明显示像素结构，其特征在于，所述发光区包括依次设置的半透明阳极、红色/绿色/蓝色发光材料层、金属阴极；所述透明区域包括半透明阳极、平坦层和金属阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
