[发明专利]一种AMOLED透明显示像素结构在审
申请号: | 201910193240.0 | 申请日: | 2019-03-14 |
公开(公告)号: | CN109979974A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 尚飞;向勇 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素结构 透明显示 子像素 透明区域 像素 相邻子像素 底部位置 顶部位置 有效解决 发光区 透光率 位置处 横纹 保证 | ||
一种AMOLED透明显示像素结构,属于显示技术领域。所述透明显示像素结构,包括多个像素,每个像素包括三个不同颜色的子像素,每个子像素的发光区设置透明区域,其特征在于,所述像素结构中相邻子像素中的透明区域位于子像素的不同位置(顶部位置、中间位置或底部位置)。本发明提供的一种AMOLED透明显示像素结构,通过将透明区域设置于子像素中的不同位置处,在保证透光率的同时有效解决了显示横纹问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种AMOLED透明显示像素结构。
背景技术
透明显示是指可形成透明显示状态以使观察者看到屏幕后方的影像的显示器,是一种全新的显示技术,可应用于手机、笔记本电脑、展示橱窗、广告牌等显示装置中。主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)具有自发光、高发光效率、低操作电压、面板厚度薄、可制作成柔性面板以及制造工艺简单等优点,常被用来制作透明显示器。AMOLED自主发光的原理为:背板上制作的铟锡氧化物半导体(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,将有机半导体材料和发光材料蒸镀到基板上,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层,并经电子和空穴传输层迁移至发光层,在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,经过辐射驰豫而发出可见光。
如图1所示,为常见的AMOLED透明显示像素结构(b),其中,(a)为其中一个像素的结构,包括红、绿、蓝(RGB)三个子像素,每个子像素包括驱动薄膜晶体管1(TFT)和发光区2,其透光率一般为10%。为了提高透光率,通常在发光区增加透明区域3,透明区域3中无发光材料,只有基板与透明电极,可将像素结构的透光率提升至50%以上。然而,该透明显示像素结构中,单个子像素透明区域均位于子像素顶部位置,形成一条横向透明带(区域3),与不透明横带(区域2)进行对比,会出现上下亮暗不一的问题,进而导致显示横纹的风险;而在低灰阶下人眼更为敏感,更易发现横纹。
发明内容
本发明的目的在于针对背景技术存在的缺陷,提出了一种AMOLED透明显示像素结构,有效解决了背景技术中显示横纹的问题。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:
一种AMOLED透明显示像素结构,包括多个像素,每个像素包括三个不同颜色的子像素,每个子像素的发光区设置透明区域,其特征在于,所述像素结构中相邻子像素中的透明区域位于子像素的不同位置(顶部位置、中间位置或底部位置)。
进一步地,所述像素结构中,每个像素中的透明区域形成“V”形、倒“V”形或阶梯形等。
进一步地,所述每个像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素三个子像素;三个子像素依次交替周期性排列得到像素结构。
进一步地,所述透明区域的宽度可以与发光区的宽度相同,也可以与发光区的宽度不同。
进一步地,所述透明区域的面积为子像素面积的10%~30%。
进一步地,所述透明区域可以为矩形、圆形等。
进一步地,每个子像素包括驱动薄膜晶体管(TFT)、发光区和透明区域;所述驱动薄膜晶体管包括依次设置的多晶硅层、金属栅极层、金属源漏极层、绝缘层等;所述发光区包括依次设置的半透明阳极、红色/绿色/蓝色发光材料层、金属阴极;所述透明区域包括半透明阳极、平坦层和金属阴极,没有发光材料层。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
本发明提供的一种AMOLED透明显示像素结构,通过将透明区域设置于子像素中的不同位置处,在保证透光率的同时有效解决了显示横纹问题。
附图说明
图1为背景技术的透明显示像素结构(b)以及其中的一个像素(a)的结构示意图;其中,1为驱动薄膜晶体管,2为发光区,3为透明区域;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的