[发明专利]混合差分放大器及其方法有效

专利信息
申请号: 201910193745.7 申请日: 2019-03-14
公开(公告)号: CN110729970B 公开(公告)日: 2023-03-10
发明(设计)人: 谢娟;梁宝文;林嘉亮 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: H03F1/08 分类号: H03F1/08
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳;郑特强
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 混合 差分放大器 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种差分放大器,其包括:

一第一共源放大器,包括一第一P型通道金属氧化物半导体晶体管,用以接收一第一电压并输出一第一电流;

一第二共源放大器,包括一第一N型通道金属氧化物半导体晶体管,用以接收一第二电压并输出一第二电流,其中该第一共源放大器及该第二共源放大器共用一共源节点,且该第一电压的交流分量是该第二电压的交流分量的反转;

一第一共栅放大器,包括一第二P型通道金属氧化物半导体晶体管,用以接收该第一电流并输出一第三电流;

一第二共栅放大器,包括一第二N型通道金属氧化物半导体晶体管,用以接收该第二电流并输出一第四电流;以及

一负载,用以端接该第三电流及该第四电流,其中该负载包括置入在该第二P型通道金属氧化物半导体晶体管的漏极及一接地节点之间的一第一电感,以及置入在该第二N型通道金属氧化物半导体晶体管的漏极及一电源节点之间的一第二电感。

2.如权利要求1所述的差分放大器,其中该负载进一步包括一调整电容,用以调整该负载的阻抗。

3.如权利要求2所述的差分放大器,其中:

该第二P型通道金属氧化物半导体晶体管的栅极是耦合到一第一偏压的直流电流;

该第二N型通道金属氧化物半导体晶体管的栅极是耦合到一第二偏压的直流电流;

该第二N型通道金属氧化物半导体晶体管的源极是耦合到该第二P型通道金属氧化物半导体晶体管的栅极的交流电流;

该第二P型通道金属氧化物半导体晶体管的源极是耦合到该第二N型通道金属氧化物半导体晶体管的栅极的交流电流。

4.一种差分放大器,其包括:

一第一混合差分放大器,用以接收一第一输入信号及一第二输入信号,并分别使用一第一叠接放大器及一第二叠接放大器输出一第一输出信号及一第二输出信号;以及

一第二混合差分放大器,用以分别接收一第三输入信号及一第四输入信号,并分别使用一第三叠接放大器及一第四叠接放大器输出一第三输出信号及一第四输出信号;

其中:

该第一叠接放大器及该第三叠接放大器是基于使用P型通道金属氧化物半导体晶体管,该第二叠接放大器及该第四叠接放大器是基于使用N型通道金属氧化物半导体晶体管,该第一输入信号的直流分量与该第三输入信号的直流分量相同,该第二输入信号的直流分量与该第四输入信号的直流分量相同,该第一输入信号的交流分量与该第四输入信号的交流分量相同,该第二输入信号的交流分量与该第三输入信号的交流分量相同,且该第二输入信号的交流分量是该第一输入信号的交流分量的反转。

5.如权利要求4所述的差分放大器,进一步包括:

一第一负载,包括一第一电感及一第二电感,分别用以提供用于该第一输出信号及该第二输出信号的终端,以及

一第二负载,包括一第三电感及一第四电感,分别用以提供用于该第三输出信号及该第四输出信号的终端。

6.如权利要求5所述的差分放大器,进一步包括一功率组合网络,其包括一第五电感、一第六电感、一第七电感及一第八电感,分别用以与该第一电感、该第二电感、该第三电感及该第四电感具有电感耦合。

7.如权利要求6所述的差分放大器,其中该第五电感、该第六电感、该第七电感及该第八电感以有效总和其个别电压的方式连接。

8.如权利要求6所述的差分放大器,其中该第五电感、该第六电感、该第七电感及该第八电感以有效总和其个别电流的方式连接。

9.一种差分放大方法,其包括:

接收一第一电压及一第二电压,其中该第一电压的交流分量是该第二电压的交流分量的反转;

使用包括一第一P型通道金属氧化物半导体晶体管的一第一共源放大器将该第一电压转换为一第一电流;

使用包括一第一N型通道金属氧化物半导体晶体管的一第二共源放大器将该第二电压转换为一第二电流,其中该第一共源放大器及该第二共源放大器共用一共源节点;

使用包括一第二P型通道金属氧化物半导体晶体管的一第一共栅放大器将该第一电流中继为一第三电流;

使用包括一第二N型通道金属氧化物半导体晶体管的一第二共栅放大器将该第二电流中继为一第四电流;以及

以一负载端接该第三电流及该第四电流,其中该负载包括置入在该第二P型通道金属氧化物半导体晶体管的漏极及一接地节点之间的一第一电感,以及置入在该第二N型通道金属氧化物半导体晶体管的漏极及一电源节点之间的一第二电感。

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