[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，其具有带有第一突起的第一半导体鳍部和带有第二突起的第二半导体鳍部，所述第一半导体鳍部邻近所述第二半导体鳍部，所述第一半导体鳍部和所述第二半导体鳍部沿着第一方向延伸；

栅电极，其沿着第二方向延伸，并且布置在所述第一半导体鳍部的第一突起上方和所述第二半导体鳍部的第二突起上方；

第一源极/漏极，其邻近所述第一突起并且从所述第一半导体鳍部延伸出，所述第一源极/漏极的上倾斜表面和所述第一源极/漏极的下倾斜表面在所述第一源极/漏极的第一拐角处相遇；

第二源极/漏极，其邻近所述第二突起并且从所述第二半导体鳍部延伸出，所述第二源极/漏极的上倾斜表面和所述第二源极/漏极的下倾斜表面在所述第二源极/漏极的第二拐角处相遇；

半导体桥，其在所述第一源极/漏极的第一拐角与所述第二源极/漏极的第二拐角之间延伸并接触所述第一源极/漏极的第一拐角和所述第二源极/漏极的第二拐角；

层间介电层，其设置在所述第一源极/漏极和所述第二源极/漏极周围；

间隙，其位于所述半导体桥下方的位置处；以及

导电接触部分，其延伸穿过所述层间介电层，所述导电接触部分包括在所述半导体桥的顶表面处与所述半导体桥接触的硅化物层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隙介于所述第一源极/漏极的下倾斜表面和所述第二源极/漏极的下倾斜表面之间。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极的下倾斜表面和所述第二源极/漏极的下倾斜表面之间的距离随着远离所述半导体桥的底表面而增加。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括隔离层，其覆盖所述第一半导体鳍部和所述第二半导体鳍部的侧表面，

其中，所述间隙介于所述半导体桥和所述隔离层之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括覆盖层，其覆盖所述第一源极/漏极的下倾斜表面、所述第二源极/漏极的下倾斜表面和所述半导体桥的底表面。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极和所述第二源极/漏极在第一高度处接触所述第一半导体鳍部和所述第二半导体鳍部，

其中，在所述第一高度处，所述第一半导体鳍部和所述第二半导体鳍部彼此分开第一距离，

其中，所述第一源极/漏极和所述第二源极/漏极之间的最小距离是所述第一源极/漏极的第一拐角和所述第二源极/漏极的第二拐角之间的距离，所述最小距离小于所述第一距离。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体桥的至少一部分的掺杂浓度高于所述第一源极/漏极和所述第二源极/漏极的掺杂浓度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体桥包括位于所述第一拐角和所述第二拐角处的第一部分以及位于所述第一部分上的第二部分，所述第二部分在所述第一源极/漏极的上倾斜表面与所述第二源极/漏极的上倾斜表面之间延伸并接触所述第一源极/漏极的上倾斜表面和所述第二源极/漏极的上倾斜表面。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述半导体桥的第一部分的掺杂浓度高于所述半导体桥的第二部分的掺杂浓度。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述半导体桥的第一部分的掺杂浓度高于所述第一源极/漏极和所述第二源极/漏极的掺杂浓度。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述半导体桥的第二部分的顶表面至少与所述第一源极/漏极和所述第二源极/漏极的最上部一样高。