[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可包括：并列形成在衬底上的第一鳍部和第二鳍部；第一抬升式掺杂区，其形成在第一鳍部上，并具有第一掺杂浓度的杂质；第二抬升式掺杂区，其形成在第二鳍部上；以及第一桥，其将第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区彼此连接。本发明还公开了制造这种半导体器件的方法。

本申请是基于2014年8月1日提交的、申请号为201410378435.X、发明创造名称为“半导体器件及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件、系统及其制造方法。

背景技术

为了改进半导体器件的操作特性，已进行了用于减小电阻的许多尝试，诸如减小接触电阻。

接触电阻可为硅化物的功函数与掺杂浓度的函数。可通过功函数和影响接触电阻的掺杂浓度来确定肖特基势垒高度(SBH)。另外，接触面积的大小可影响接触电阻。

发明内容

本发明公开了半导体器件、系统及其制造方法。根据一些实施例，一种半导体器件可包括：半导体衬底，其具有带有第一突起的第一半导体鳍部和带有第二突起的第二半导体鳍部，第一半导体鳍部邻近第二半导体鳍部，第一半导体鳍部和第二半导体鳍部沿着第一方向延伸；栅电极，其沿着第二方向延伸，并且布置在第一半导体鳍部的第一突起上方和第二半导体鳍部的第二突起上方；第一抬升式掺杂区，其邻近第一突起并且从第一半导体鳍部延伸出，第一抬升式掺杂区的上倾斜表面和第一抬升式掺杂区的下倾斜表面在第一抬升式掺杂区的第一拐角处相遇；第二抬升式掺杂区，其邻近第二突起并且从第二半导体鳍部延伸出，第二抬升式掺杂区的上倾斜表面和第二抬升式掺杂区的下倾斜表面在第二抬升式掺杂区的第二拐角处相遇；以及半导体桥，其在第一抬升式掺杂区的第一拐角与第二抬升式掺杂区的第二拐角之间延伸并接触它们。

第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区可在第一高度接触第一半导体鳍部和第二半导体鳍部，并且在第一高度处，第一半导体鳍部和第二半导体鳍部可彼此分开第一距离，并且第一抬升式掺杂区与第二抬升式掺杂区之间的最小距离是第一抬升式掺杂区的第一拐角与第二抬升式掺杂区的第二拐角之间的距离，所述最小距离小于所述第一距离。

第一半导体鳍部与第二半导体鳍部之间的节距可为48nm或更小。

第一半导体鳍部和第二半导体鳍部、第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区以及半导体桥可为晶体。

层间介电层可设置在第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区周围，并且位于半导体桥下方；并且导电接触部分可延伸穿过层间介电层，并且在半导体桥的上表面上接触半导体桥。

第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区可在第一高度接触第一半导体鳍部和第二半导体鳍部，并且在第一高度处，第一半导体鳍部和第二半导体鳍部可彼此分开第一距离，并且参照沿着垂直于第一方向的方向截取的截面，导电接触部分的宽度可大于所述第一距离。

参照沿着垂直于第一方向的方向截取的截面，第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区可具有菱形形状。

在半导体桥下方的位置处可存在层间介电层中的空气间隙。

半导体桥的至少一部分的掺杂浓度可高于第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区的掺杂浓度。

半导体桥可由SiGe形成。

半导体桥的载流子杂质的掺杂浓度可为1×10²⁰atom/cc或更大。

半导体桥的锗的浓度可为2.5×10²²atom/cc或更大。

半导体桥可包括位于第一拐角和第二拐角处的第一部分以及位于第一部分上的第二部分，所述第二部分在第一抬升式掺杂区的上倾斜表面与第二抬升式掺杂区的上倾斜表面之间延伸并接触它们。