[发明专利]CNTs/金属纳米线复合导电膜及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种CNTs/金属纳米线复合导电膜的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成碳纳米管层；

在碳纳米管远离所述衬底的一端开设开口；

将银纳米颗粒填入已开口的碳纳米管中，填入方式为将碳纳米管作为衬底，将金属源作为靶材，经溅射形成金属负载于所述碳纳米管的复合材料，形成填充有金属纳米颗粒的碳纳米管阵列，将金属负载于碳纳米管的复合材料溶于有机溶剂得到复合材料有机溶液，将所述复合材料有机溶液通过丝网印刷和烘干，制备得到CNTs/金属纳米线复合导电膜。

2.如权利要求1所述的CNTs/金属纳米线复合导电膜的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成碳纳米管层包括直接在所述衬底上制备形成碳纳米管阵列；

或，将成型碳纳米管薄膜转移到所述衬底上而形成碳纳米管层；

所述碳纳米管阵列为生长出定向排列的有序碳纳米管阵列。

3.如权利要求1或2所述的CNTs/金属纳米线复合导电膜的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成碳纳米管层的方法包括：热化学气相沉积法或等离子增强化学气相沉积法。

4.如权利要求1或2所述的CNTs/金属纳米线复合导电膜的制备方法，其特征在于，所述金属纳米颗粒包括金、银、铜、铝中的任一种或两种以上的组合。

5.如权利要求1所述的CNTs/金属纳米线复合导电膜的制备方法，其特征在于，所述导电膜的厚度范围为100-150um。

6.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项中所述的制备方法制得的所述CNTs/金属纳米线复合导电膜，所述复合导电膜应用于触控电极。