[发明专利]CNTs/金属纳米线复合导电膜及其制备方法、电子装置

说明书

本发明涉及的一种CNTs/金属纳米线复合导电膜的制备方法，包括：在衬底上形成碳纳米管层；在碳纳米管远离所述衬底的一端开设开口；将金属纳米颗粒填入已开口的碳纳米管中，形成填充有金属纳米颗粒的碳纳米管阵列，制备得到CNTs/金属纳米线复合导电膜。本发明实施例通过纳米银颗粒填充至碳纳米管内，形成一个宏观的银纳米线，从而解决了由于银纳米线表面光滑形成的雾度问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种CNTs/金属纳米线复合导电膜及其制备方法、电子装置。

背景技术

传统的触摸屏一般是采用透明光学胶OCA(Optically Clear Adhesive)将盖板玻璃和ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)导电薄膜进行贴合，形成OCA/ITO及OCA/PET界面。ITO导电薄膜是一种N型半导体材料，其对可见光吸收小，且具有较高的可见光透过率、中远红外波段优良的红外反射性能及微波衰减性能、高机械硬度和良好的化学稳定性，成为了光电器件应用领域非常重要的光学元件。上述传统设计的触摸屏因为各不同介质界面间存在界面反射，导致触摸屏可视区存在较高的反射，严重影响了面板的显示效果。

由于触控屏中的触控电极未来趋势将采用纳米银材料作为电极材料，但是由于纳米银表面较光滑，易反射造成云雾状或者浑浊外观，即雾度。当室外场景光线照射至屏幕时，屏幕反射光强烈，严重的时候会使得用户看不清屏幕。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种CNTs/金属纳米线复合导电膜。

本发明的另一目的在于提供上述CNTs/金属纳米线复合导电膜的制备工艺。

为实现上述发明目的，一方面，本发明实施例公开了一种CNTs/金属纳米线复合导电膜的制备方法，包括：

在衬底上形成碳纳米管层；

在碳纳米管远离所述衬底的一端开设开口；

将金属纳米颗粒填入已开口的碳纳米管中，形成填充有金属纳米颗粒的碳纳米管阵列，制备得到CNTs/金属纳米线复合导电膜。

作为本发明实施方式的进一步改进，所述在衬底上形成碳纳米管层包括直接在所述衬底上制备形成碳纳米管阵列；

和/或，将成型碳纳米管薄膜转移到所述衬底上而形成碳纳米管层；

所述碳纳米管阵列为生长出定向排列的有序碳纳米管阵列。

作为本发明实施方式的进一步改进，所述在衬底上形成碳纳米管层的方法包括：热化学气相沉积法或等离子增强化学气相沉积法。

作为本发明实施方式的进一步改进，所述金属纳米颗粒包括金、银、铜、铝中的任一种或两种以上的组合。

作为本发明实施方式的进一步改进，所述碳纳米管包括单壁、双壁和多壁碳纳米管中的任一种或两种以上的组合。

作为本发明实施方式的进一步改进，将金属纳米颗粒填入已开口的碳纳米管中的具体方式为将碳纳米管作为衬底，将金属源作为靶材，经溅射形成金属负载于所述碳纳米管的复合材料。

作为本发明实施方式的进一步改进，所述方法还包括将金属负载于碳纳米管的复合材料溶于有机溶剂得到复合材料有机溶液，将所述复合材料有机溶液通过丝网印刷和烘干，制备得到CNTs/金属纳米线复合导电膜。

作为本发明实施方式的进一步改进，所述导电膜的厚度范围为100-150um。

另一方面，本发明公开了一种上述方法制备的CNTs/金属纳米线复合导电膜，包括：

碳纳米管层，形成于衬底上；所述碳纳米管在远离所述衬底的一端开设开口；