[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有伪栅极结构；

在所述伪栅极结构两侧的衬底内分别形成第一开口和第二开口，且所述第一开口和第二开口之间的衬底形成沟道区；在所述伪栅极结构侧壁和沟道区的侧壁表面形成第一侧墙；

在形成第一侧墙之后，在所述第一开口底部表面形成第一外延层，在所述第二开口底部表面形成第二外延层；

在形成第一外延层和第二外延层后，去除所述第一侧墙，在伪栅极结构和第一外延层之间形成第三开口，在伪栅极结构和第二外延层之间形成第四开口；

在所述第一外延层上和第三开口内形成第三外延层，所述第三外延层离子浓度小于第一外延层离子浓度；

在所述第二外延层上和第四开口内形成第四外延层，所述第四外延层离子浓度小于第二外延层离子浓度。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙的方法包括：在所述衬底上沉积第一侧墙材料层，所述第一侧墙材料层位于所述伪栅极结构侧壁和顶部、第一开口侧壁和底部、以及第二开口的底部和侧壁；回刻蚀所述第一侧墙材料层，直至暴露出所述衬底，形成所述第一侧墙。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料包括氧化硅、氮化硅、氮碳化硅及硅锗氮。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的厚度为2nm～5nm。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一侧墙的工艺包括干法刻蚀工艺。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一外延层和第二外延层同时形成；形成所述第一外延层和第二外延层的工艺包括：外延生长工艺。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述外延生长工艺参数包括：气体为SiH₄和GeH₄、或SiH₄和PH₃，所述气体离子浓度范围为：8e20/立方厘米～2e21/立方厘米。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第三外延层的方法包括：在所述衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出所述第三开口和第一外延层表面；在第一外延层上和第三开口内形成第三外延层；所述第三外延层形成工艺包括：外延生长工艺。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述外延生长工艺参数包括：气体为SiH₄和GeH₄、或SiH₄和PH₃，所述气体离子浓度范围为：8e20/立方厘米～1.2e21/立方厘米。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第四外延层的方法包括：在所述衬底上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出所述第四开口和第二外延层表面；在第二外延层上和第四开口内形成第四外延层；所述第四外延层形成工艺包括：外延生长工艺。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述外延生长工艺参数包括：气体为SiH₄和GeH₄、或SiH₄和PH₃，所述气体离子浓度范围为：4e20/立方厘米～1.2e21/立方厘米。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三外延层和第四外延层同时形成；所述形成第三外延层和第四外延层的工艺包括：外延生长工艺。