[发明专利]达格列净新晶型及其制备方法

权利要求书

1.一种达格列净晶型A，其使用Cu-Kα测量的X射线粉末衍射图谱在以下2θ角处具有特征衍射峰：6.4±0.2°，12.7±0.2°，18.9±0.2°，26.6±0.2°，27.2±0.2°。

2.如权利要求1所述的达格列净晶型，其使用Cu-Kα测量的X射线粉末衍射图谱在六个或更多个、七个或更多个、八个或更多个，或九个或更多个选自下组的2θ角处具有特征衍射峰：6.4±0.2°，11.5±0.2°，12.7±0.2°，15.6±0.2°，16.1±0.2°，17.5±0.2°，18.9±0.2°，21.8±0.2°，26.6±0.2°，27.2±0.2°。

3.如权利要求2所述的达格列净晶型A，其具有说明书附图图1所示的使用Cu-Kα测量的X射线粉末衍射图谱。

4.如权利要求1所述的达格列净晶型A，其差示扫描量热曲线在62.93±3℃处具有吸热峰。

5.如权利要求1所述的达格列净晶型A，其热重分析曲线在100±3℃之前失重为约5.82％。

6.一种达格列净晶型B，其使用Cu-Kα测量的X射线粉末衍射图谱在以下2θ角处具有特征衍射峰：6.3±0.2°，7.2±0.2°，14.5±0.2°，19.6±0.2°，21.3±0.2°，23.6±0.2°。

7.如权利要求6所述的达格列净晶型，其使用Cu-Kα测量的X射线粉末衍射图谱在七个或更多个、八个或更多个、九个或更多个、十个或更多个、十一个或更多个、十二个或更多个、十三个或更多个，或十四个或更多个选自下组的2θ角处具有特征衍射峰：6.3±0.2°，7.2±0.2°，14.5±0.2°，16.3±0.2°，17.5±0.2°，18.7±0.2°，19.6±0.2°，21.3±0.2°，22.3±0.2°，22.4±0.2°，23.6±0.2°，24.8±0.2°，26.8±0.2°，28.8±0.2°，31.0±0.2°。

8.如权利要求7所述的达格列净晶型B，其具有说明书附图图5所示的使用Cu-Kα测量的X射线粉末衍射图谱。

9.如权利要求6所述的达格列净晶型B，其差示扫描量热曲线在85.06±3℃处具有吸热峰。

10.如权利要求6所述的达格列净晶型B，其热重分析曲线在150±3℃之前失重为约0.27％。

11.一种制备达格列净晶型的方法，所述方法包括：1)将达格列净溶于第一有机溶剂中；2)加入第二有机溶剂，低温析晶；以及3)过滤并干燥。

12.如权利要求11所述的方法，所述方法还包括：4)在45-60℃下真空干燥。

13.如权利要求11所述的方法，所述第一有机溶剂是乙醇或乙醇与其他醇的混合溶剂，和/或所述第二有机溶剂是异辛烷或正庚烷或正己烷。