[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基板，所述基板包括多个单元区域；

于每一单元区域上形成一导电层以获得一第一暂时载板；

切割所述第一暂时载板以获得多个第二暂时载板，每一第二暂时载板包括多个具有所述导电层的单元区域；

将每一所述第二暂时载板的周边用一金属框架包裹，所述金属框架上设有若干个固定孔；

通过所述固定孔将具有所述金属框架中的所述第二暂时载板固定于一载物台上；

在每一第二暂时载板的导电层上焊接一芯片，所述焊接在所述芯片与所述导电层之间形成至少一导电体，所述导电体的高度大于40μm，所述导电体使所述芯片与所述导电层相距设置；

封装所述芯片以形成一封胶体，所述封胶体包覆所述芯片的所有外表面，得到包括所述封胶体、所述芯片、所述导电层以及所述导电体在内的中间体；

将所述中间体与所述第二暂时载板分离以获得所述半导体封装结构。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导电层通过粘接、溅镀、电镀中的一种形成于所述基板。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导电层与所述芯片焊接前，所述制造方法还包括：在所述导电层朝向所述芯片的表面设置至少一引脚，所述芯片于所述引脚对应的位置处设有至少一凸起，所述引脚与所述凸起通过回流焊的方式焊接形成所述导电体。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述引脚的材质选自铜或锡的中的一种，所述凸起的材质选自铜或锡中的另一种，焊接后，所述导电体上所述引脚与所述凸起接触的区域形成有铜锡共晶层。