[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

说明书

一种半导体封装结构，包括至少一导电体、一导电层、至少一芯片及一封胶体，所述导电体设于所述导电层及所述芯片之间并将所述导电层与所述芯片电性连接，所述封胶体包覆所述芯片的所有外表面。本发明通过在暂时载板上设置导电层，同时将所述导电层与芯片通过具有一定高度的导电体电性连接，让芯片与导电层之间存在间隙，使得封胶体可以包覆所述芯片的所有外表面，有利于避免芯片破损的发生。

技术领域

本发明涉及一种半导体封装结构及其制造方法。

背景技术

现有的半导体芯片封装过程中通常会使用暂时玻璃载板来支撑与定位半导体芯片，半导体芯片封装好后，再移除该暂时玻璃载板，但是移除暂时玻璃载板后会使得芯片的背面直接裸露在外，很容易造成半导体芯片从背面发生损伤。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种半导体封装结构及其制造方法，能够避免半导体芯片破损，从而解决上述问题。

一种半导体封装结构，包括至少一导电体、至少一导电层、一芯片及一封胶体，所述芯片与所述导电层相对且相距设置，所述导电体设于所述导电层及所述芯片之间并将所述导电层与所述芯片电性连接，所述封胶体包覆所述芯片的所有外表面。

进一步地，所述导电体的高度大于40μm。

进一步地，所述导电体包括一铜锡共晶层。

进一步地，所述封胶体形成于所述导电层与所述芯片朝向所述导电层的表面之间的除所述导电体外的间隙。

一种半导体封装结构制造方法，包括如下步骤：

提供一基板，所述基板包括多个单元区域。

于每一单元区域上形成一导电层以获得一第一暂时载板。

切割所述第一暂时载板以获得多个第二暂时载板，每一第二暂时载板包括至少一具有所述导电层的单元区域。

在每一第二暂时载板的导电层上焊接一芯片，所述焊接在所述芯片与所述导电层之间形成至少一导电体，所述导电体使所述芯片与所述导电层相距设置。

封装所述芯片以形成一封胶体，所述封胶体包覆所述芯片的所有外表面，得到包括所述封胶体、所述芯片、所述导电层以及所述导电体在内的中间体。

将所述中间体与所述第二暂时载板分离以获得所述半导体封装结构。

进一步地，所述导电层通过粘接、溅镀、电镀中的一种形成于所述基板。

进一步地，所述导电层与所述芯片焊接前，所述制造方法还包括：在所述导电层朝向所述芯片的表面设置至少一引脚，所述芯片于所述引脚对应的位置处设有至少一凸起，所述引脚与所述凸起通过回流焊的方式焊接形成所述导电体，所述导电体的高度大于40μm。

进一步地，所述引脚的材质选自铜或锡的中的一种，所述凸起的材质选自铜或锡中的另一种，焊接后，所述导电体上所述引脚与所述凸起接触的区域形成有铜锡共晶层。

进一步地，在切割所述第一暂时载板以获得多个第二暂时载板后，所述制造方法还包括：

将每一所述第二暂时载板的周边用一金属框架包裹，所述金属框架上设有若干个固定孔。

以及通过所述固定孔将具有所述金属框架中的所述第二暂时载板固定于一载物台上。

本发明提供的半导体封装结构通过在暂时载板上设置导电层，同时将所述导电层与芯片通过具有一定高度的导电体电性连接，让芯片与导电层之间存在间隙，使得封胶体可以包覆所述芯片的所有外表面，有利于避免芯片破损的发生。

附图说明

图1为本发明提供的半导体封装结构的截面示意图。

图2A为本发明提供的基板的截面示意图。