[发明专利]用于包括QLC单元的存储器装置的编码方法和系统有效
申请号: | 201910197024.3 | 申请日: | 2019-03-15 |
公开(公告)号: | CN110277129B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 哈曼·巴蒂亚;内维·库马尔;张帆 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/10;G11C29/42 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;赵赫 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 包括 qlc 单元 存储器 装置 编码 方法 系统 | ||
1.一种存储器系统,包括:
存储器装置,包括四层单元,即QLC;以及
控制器,包括受约束编码装置,
其中所述受约束编码装置包括:
第一编码器,基于受约束代码对两个数据位进行联合编码,所述两个数据位对应于从多个逻辑页面之中选择的两个逻辑页面;以及
第二编码器,基于错误校正码对经编码数据位和剩余数据位进行独立编码以生成对应于多个编程电压电平,即PV电平的标记,所述剩余数据位对应于所述多个逻辑页面之中的两个未选择的逻辑页面。
2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中基于所述PV电平与数据位之间的映射关系以及所述标记之中的某些易干扰序列来选择所述两个逻辑页面。
3.根据权利要求2所述的存储器系统,其中所述两个逻辑页面包括所述多个逻辑页面之中的第一逻辑页面和第三逻辑页面,并且所述未选择逻辑页面包括所述多个逻辑页面之中的第二逻辑页面和第四逻辑页面。
4.根据权利要求3所述的存储器系统,其中所述第一逻辑页面包括最高有效位页面,即MSB页面,
所述第二逻辑页面包括最高中央有效位页面,即MCSB页面,
所述第三逻辑页面包括最低中央有效位页面,即LCSB页面,并且
所述第四逻辑页面包括最低有效位页面,即LSB页面。
5.根据权利要求4所述的存储器系统,其中所述受约束代码包括使得具有所述易干扰序列的位被避开的代码,所述位对应于所述MSB页面和所述LCSB页面。
6.根据权利要求5所述的存储器系统,其中对应于所述MSB页面的位序列包括值“111”。
7.根据权利要求6所述的存储器系统,其中对应于所述LCSB页面的位序列包括值“010”。
8.一种存储器系统,包括:
存储器装置,包括四层单元,即QLC;以及
控制器,包括受约束编码装置,
其中所述受约束编码装置包括:
第一编码器,基于受约束代码对第一数据和第三数据进行联合编码,所述第一数据和第三数据对应于多个逻辑页面之中的第一逻辑页面和第三逻辑页面;以及
第二编码器,基于错误校正码对第二数据和第四数据以及经编码第一数据和第三数据进行独立编码以生成对应于多个编程电压电平,即PV电平的标记,所述第二数据和第四数据对应于所述多个逻辑页面之中的第二逻辑页面和第四逻辑页面。
9.根据权利要求8所述的存储器系统,其中所述控制器控制所述存储器装置以将所述标记编程到所述单元中。
10.根据权利要求8所述的存储器系统,其中所述第一逻辑页面包括最高有效位页面,即MSB页面,
所述第二逻辑页面包括最高中央有效位页面,即MCSB页面,
所述第三逻辑页面包括最低中央有效位页面,即LCSB页面,并且
所述第四逻辑页面包括最低有效位页面,即LSB页面。
11.根据权利要求10所述的存储器系统,其中所述受约束代码包括使得具有所述标记之中的某些序列的位被避开的代码,所述位对应于所述MSB页面和所述LCSB页面。
12.根据权利要求11所述的存储器系统,其中对应于所述MSB页面的位序列包括值“111”。
13.根据权利要求12所述的存储器系统,其中对应于所述LCSB页面的位序列包括值“010”。
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