[发明专利]用于包括QLC单元的存储器装置的编码方法和系统

说明书

本发明提供了一种用于包括四层单元(QLC)存储器单元的存储器装置的编码方法和系统。存储器系统的控制器包括受约束编码装置，该受约束编码装置包括第一编码器和第二编码器。第一编码器基于受约束代码对两个数据位进行联合编码，该两个数据位对应于从多个逻辑页面之中选择的两个逻辑页面。第二编码器基于错误校正码对经编码数据位和剩余数据位进行独立编码以生成对应于多个编程电压(PV)电平的标记，该剩余数据位对应于多个逻辑页面之中的两个未选择逻辑页面。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年3月16日提交的申请号为62/643,975的美国临时申请的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的实施例涉及一种用于存储器装置的编码方案。

背景技术

计算机环境范例已经变为可随时随地使用的普适计算系统。因此，诸如移动电话、数码相机和笔记本计算机的便携式电子装置的使用已经快速增长。这些便携式电子装置通常使用具有存储器装置的存储器系统，即数据存储装置。数据存储装置用作便携式电子装置的主存储器装置或辅助存储器装置。

因其不具有移动部件，所以使用存储器装置的存储器系统提供优良的稳定性、耐用性、高信息访问速度以及低功耗。具有这种优点的存储器系统的示例包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡以及固态驱动器(SSD)。存储器系统使用用于存储器单元的各种编码方案。

发明内容

本发明的方面包括用于包括四层单元(QLC)存储器单元的存储器装置的编码方法和系统。

在一个方面，存储器系统包括：存储器装置，其包括四层单元(QLC)；以及控制器，其包括受约束编码装置。受约束编码装置包括第一编码器和第二编码器。第一编码器基于受约束代码对两个数据位进行联合编码，该两个数据位对应于从多个逻辑页面之中选择的两个逻辑页面。第二编码器基于错误校正码对经编码数据位和剩余数据位进行独立编码以生成对应于多个编程电压(PV)电平的标记，该剩余数据位对应于多个逻辑页面之中的两个未选择逻辑页面。

在另一方面，存储器系统包括：存储器装置，其包括四层单元(QLC)；以及控制器，其包括受约束编码装置。受约束编码装置包括第一编码器和第二编码器。第一编码器基于受约束代码对第一和第三数据进行联合编码，该第一和第三数据对应于多个逻辑页面之中的第一和第三逻辑页面。第二编码器基于错误校正码对第二数据和第四数据以及经编码的第一和第三数据进行独立编码以生成对应于多个编程电压(PV)电平的标记，第二和第四数据对应于多个逻辑页面之中的第二和第四逻辑页面。

在又一方面，一种用于操作存储器系统的方法，该存储器系统包括存储器装置，该存储器装置包括四层单元(QLC)，该方法包括：基于受约束代码，对两个数据位进行联合编码，该两个数据位对应于从多个逻辑页面之中选择的两个逻辑页面；并且基于错误校正码，对经编码数据位和剩余数据位进行独立编码以生成对应于多个编程电压(PV)电平的标记，该剩余数据位对应于多个逻辑页面之中的两个未选择逻辑页面。

从以下描述中，本发明的另外方面将变得显而易见。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施例的存储器系统的框图。

图2是示出根据本发明的实施例的存储器系统的框图。

图3是示出根据本发明的实施例的存储器系统的存储器装置的存储块的电路图。

图4是示出存储器装置的单元的状态的示图。

图5是示出存储器装置的单元的示图。

图6是用于描述存储器装置中的单元间干扰(inter-cell interference)的示图。