[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括步骤：

形成第一金属层；

在所述第一金属层上通入氨气形成附着层；

在所述附着层上形成第一绝缘层；

对所述第一绝缘层进行蚀刻形成暴露出所述第一金属层的过孔；以及

在所述第一绝缘层上形成通过所述过孔与所述第一金属层连接的透明电极层；

其中，所述附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力；所述第一金属层为源漏电极层，所述第一绝缘层为钝化层；所述第一金属层包括金属钼材料，所述第一绝缘层包括氮化硅材料，所述附着层为氮化钼材料；

所述在第一金属层上通入氨气形成附着层的步骤中，包括步骤：

将氨气分解成氮原子和氢原子；

将氮原子沉积在所述第一金属层上，与所述第一金属层发生化学反应形成所述附着层；

其中，所述附着层的厚度小于1nm，且氨气通过电浆制程分解成氮原子和氢原子；所述电浆制程的时间范围在7秒至60秒之间，在氨气进行电浆制程的同时，将电浆制程的功率控制在8千瓦至16千瓦之间；

在电浆制程前对所述第一金属层和所述阵列基板的沟道进行预热处理，所述预热处理时间为25秒。

2.一种阵列基板，采用如权利要求1所述的阵列基板的制造方法所制造而成，其特征在于，包括衬底、主动开关和透明电极层，所述主动开关设置在所述衬底的表面，所述透明电极层设置在所述主动开关的表面，所述主动开关包括：

第一金属层，为源漏电极层；

附着层，设置在所述第一金属层的表面；

第一绝缘层，为钝化层，设置在所述附着层的表面；以及

过孔，贯穿所述第一绝缘层，暴露出所述第一金属层；

其中，所述透明电极层通过所述过孔与所述第一金属层连接；

所述附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力；

所述第一金属层包括金属钼材料，所述第一绝缘层包括氮化硅材料，所述附着层为氮化钼材料；

所述附着层的厚度小于1nm，且所述附着层是由氨气电浆后与第一金属层反应后形成。

3.如权利要求2所述的一种阵列基板，其特征在于，所述主动开关还包括：

第二金属层，设置在所述衬底的表面；

第二绝缘层，设置在所述第二金属层的表面；

半导体层，设置在所述第二绝缘层的表面，所述第一金属层覆盖在所述半导体层的表面；以及

沟道，贯穿所述第一金属层和所述附着层；

其中，所述第一绝缘层同时覆盖所述沟道的表面。

4.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板，如权利要求2至3任意一项所述的阵列基板，以及填充在所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶盒。