[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板。阵列基板包括衬底、主动开关和透明电极层，所述主动开关包括第一金属层，设置在所述第一金属层上的附着层，设置在所述附着层上的第一绝缘层，贯穿所述第一绝缘层并暴露出所述第一金属层的过孔；其中，所述透明电极层通过过孔与所述第一金属层连接；所述附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力；这样第一绝缘层沉积时容易附着在第一金属层上，由于附着力较好，第一绝缘层的蚀刻速度会比较慢，进而改善钻蚀现象。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和显示面板。

背景技术

液晶显示器作为传递信息的主要媒介，已经被广泛应用于工作、生活中的各个领域。但是很少有人知道看似简单的液晶面板，其制作需要成百上千道工序。一般而言，液晶显示面板是由包含薄膜晶体管等主动元件的阵列基板、包含彩色滤光片等元件的彩膜基板以及夹置其中的液晶盒所组成，位于阵列基板表面的透明电极层需要与主动开关中的金属层连接。

在阵列基板的制作中，金属层表面的绝缘层在刻蚀形成接触孔洞时，容易出现钻蚀(Passivation Undercut)现象，严重时可能直接导致液晶面板显示异常。

发明内容

本发明的目的是提供一种改善绝缘层钻蚀现象的阵列基板及其制造方法和显示面板。

为实现上述目的，本发明公开了一种阵列基板,包括衬底、主动开关和透明电极层，所述主动开关设置在所述衬底的表面，所述透明电极层设置在所述主动开关的表面，所述主动开关包括第一金属层，设置在所述第一金属层上的附着层，设置在所述附着层上的第一绝缘层，贯穿所述第一绝缘层并暴露出所述第一金属层的过孔；其中，所述透明电极层通过所述过孔与所述第一金属层连接；所述附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力。

可选的，所述第一金属层包括金属钼材料，所述第一绝缘层包括氮化硅材料，所述附着层为氮化钼材料。

可选的，所述主动开关还包括，设置在所述衬底上的第二金属层，设置在所述第二金属层上的第二绝缘层，设置在所述第二绝缘层上的半导体层，所述第一金属层覆盖在所述半导体层的表面，贯穿所述第一金属层和附着层的沟道；其中，所述第一绝缘层同时覆盖所述沟道的表面。

本发明还公开了一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括步骤：

形成第一金属层；

在所述第一金属层上通入氨气形成附着层；

在所述附着层上形成第一绝缘层；

对所述第一绝缘层进行蚀刻形成暴露出所述第一金属层的过孔；

以及

在所述第一绝缘层上形成通过所述过孔与所述第一金属层连接的透明电极层；

其中，所述附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力。

可选的，所述第一金属层包括金属钼材料，所述第一绝缘层包括氮化硅材料，所述附着层为氮化钼材料。

可选的，所述在第一金属层上通入氨气形成附着层的步骤中，包括步骤：

将氨气分解成氮原子和氢原子；

将氮原子沉积在所述第一金属层上，与所述第一金属层发生化学反应形成所述附着层。

可选的，所述将氨气分解成氮原子和氢原子的步骤中，氨气通过电浆制程分解成氮原子和氢原子。

可选的，所述电浆制程为等离子体辅助化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition PECVD)方法中的一道工序。