[发明专利]一种掩膜版、制备方法及显示面板在审
申请号: | 201910199578.7 | 申请日: | 2019-03-15 |
公开(公告)号: | CN109814332A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 孙增标;单奇;闫德松 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;G03F7/20 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 张海英 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 遮光线 曝光图形 封闭 掩膜版 导电性能 刻蚀图形 曝光光束 显示面板 接触孔 制备 边缘侧壁 间隔排列 坡度角 波长 变小 侧壁 光刻 线宽 衍射 坡度 照射 邻近 | ||
1.一种掩膜版,其特征在于,包括:
曝光图形;
至少一条封闭遮光线,所述至少一条封闭遮光线位于所述曝光图形内;所述至少一条封闭遮光线依次间隔排列;
相邻所述封闭遮光线之间的缝隙宽度为D1,最邻近所述曝光图形的所述封闭遮光线与所述曝光图形的边缘之间的缝隙宽度为D2,所述封闭遮光线的线宽为D3,曝光光束的波长为D4;
D1、D2、D3以及D4满足如下关系,以使所述曝光光束照射至所述封闭遮光线时发生衍射;
|D1-D4|≤A;|D2-D4|≤A;|D3-D4|≤A;其中,A≥0。
2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述曝光图形为圆形;所述封闭遮光线为圆环状。
3.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述封闭遮光线的数量大于或等于1,小于或等于3。
4.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,D1=D2=D3。
5.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,D1、D2和D3均为光刻机曝光分辨率的1/5~1/3。
6.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,D1、D2和D3的取值范围为10nm~780nm。
7.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述掩膜版包括透明基板和位于所述透明基板上的遮光掩膜层,所述遮光掩膜层上设置有所述曝光图形以及所述至少一条封闭遮光线。
8.根据权利要求7所述的掩膜版,其特征在于,所述透明基板为石英玻璃、苏打玻璃、低膨胀玻璃和透明树脂中的任意一种,所述遮光掩膜层的材质为铬、氧化铁、硅化钼、硅和乳胶中的任意一种。
9.一种掩膜版的制备方法,用于制备如权利要求1-8任一项所述的掩膜版,其特征在于,包括:
提供一掩膜版母版;
在所述掩膜版母版的一侧形成光刻胶层;
对所述光刻胶层进行曝光和显影;并在显影后对所述掩膜版母版进行图案化,形成曝光图形以及至少一条封闭遮光线;
其中,所述至少一条封闭遮光线位于所述曝光图形内;所述至少一条封闭遮光线依次间隔排列;相邻所述封闭遮光线之间的缝隙宽度为D1,最邻近所述曝光图形的所述封闭遮光线与所述曝光图形的边缘之间的缝隙宽度为D2,所述封闭遮光线的线宽为D3,曝光光束的波长为D4;
D1、D2、D3以及D4满足如下关系,以使所述曝光光束照射至所述封闭遮光线时发生衍射;
|D1-D4|≤A;|D2-D4|≤A;|D3-D4|≤A;其中,A≥0。
10.一种显示面板,其特征在于,包括薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管中的接触孔采用如权利要求1-8任一所述的掩膜版制成。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备