[发明专利]一种掩膜版、制备方法及显示面板

说明书

本发明公开了一种掩膜版、制备方法及显示面板。该掩膜版包括：曝光图形；至少一条封闭遮光线，封闭遮光线设置于曝光图形中且依次间隔排列；相邻封闭遮光线之间的缝隙宽度为D1，最邻近曝光图形的封闭遮光线与曝光图形的边缘之间的缝隙宽度为D2，封闭遮光线的线宽为D3，曝光光束的波长为D4；D1、D2、D3以及D4满足|D1‑D4|≤A；|D2‑D4|≤A；|D3‑D4|≤A，以使曝光光束照射至封闭遮光线时发生衍射，其中，A≥0。本发明实施例可以避免刻蚀图形的侧壁坡度较大导致的接触孔导电性能差的问题，可以在通过光刻形成的刻蚀图形的边缘侧壁坡度角变小，改善接触孔的导电性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域技术，尤其涉及一种掩膜版、制备方法及显示面板。

背景技术

随着半导体器件临界尺寸的逐渐减小，各种微观效应开始显现，优化半导体器件的性能变得越来越困难。

在制备半导体器件时，通常利用掩膜版采用光刻工艺形成。并且在制备薄膜晶体管等半导体器件时，由于器件的内部结构需要对两层金属层中设置接触孔，并在接触孔中填充金属导电材料实现两层金属层的导电，其中接触孔的制备通常需要利用接触孔掩膜版，在两金属层之间的绝缘层中经曝光刻蚀形成接触孔。

然而，在薄膜晶体管阵列基板以及其他半导体器件的制造过程中，经常会发生各种点不良或者线不良，发生静电释放现象，造成了图形损伤，产生不良。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜版、制备方法及显示面板，以通过在掩膜版的曝光图形的边缘形成衍射现象，最终通过光刻形成的刻蚀图形的边缘侧壁坡度角变小。

为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种掩膜版，包括：

曝光图形；

至少一条封闭遮光线，所述至少一条封闭遮光线位于所述曝光图形内；所述至少一条封闭遮光线依次间隔排列；

相邻所述封闭遮光线之间的缝隙宽度为D1，最邻近所述曝光图形的所述封闭遮光线与所述曝光图形的边缘之间的缝隙宽度为D2，所述封闭遮光线的线宽为D3，曝光光束的波长为D4；

D1、D2、D3以及D4满足如下关系，以使所述曝光光束照射至所述封闭遮光线时发生衍射；

|D1-D4|≤A；|D2-D4|≤A；|D3-D4|≤A；其中，A≥0。

可选地，所述曝光图形为圆形；所述封闭遮光线为圆环状。

可选地，所述封闭遮光线的数量大于或等于1，小于或等于3。

可选地，D1＝D2＝D3。

可选地，D1、D2和D3均为光刻机曝光分辨率的1/5～1/3。

可选地，D1、D2和D3的取值范围为10nm～780nm。

可选地，所述掩膜版包括透明基板和位于所述透明基板上的遮光掩膜层，所述遮光掩膜层上设置有所述曝光图形以及所述至少一条封闭遮光线。

可选地，所述透明基板为石英玻璃、苏打玻璃、低膨胀玻璃和透明树脂中的任意一种，所述遮光掩膜层的材质为铬、氧化铁、硅化钼、硅和乳胶中的任意一种。

一种掩膜版的制备方法，用于制备如上任一项所述的掩膜版，包括：

提供一掩膜版母版；

在所述掩膜版母版的一侧形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光和显影；并在显影后对所述掩膜版母版进行图案化，形成曝光图形以及至少一条封闭遮光线；