[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

外围电路区，位于第一基底上，并且包括至少一个电路器件；

存储器单元区，位于所述第一基底上的第二基底上，并且包括存储器单元；以及

通过布线区，包括穿过所述存储器单元并且位于所述第二基底上的导电区，以及穿过所述导电区和所述第二基底并且被构造成使所述存储器单元区电连接到所述至少一个电路器件的通过接触插塞。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述通过布线区还包括位于所述通过接触插塞的侧表面上的布线绝缘层。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置被构造成在所述存储器单元的擦除操作期间通过所述导电区将擦除电压施加到所述第二基底。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述存储器单元区还包括：

栅电极，彼此分隔开并且垂直于所述第二基底的上表面堆叠；以及

沟道，穿过所述栅电极并且垂直于所述第二基底的所述上表面延伸，

其中，所述通过布线区还包括位于所述导电区的侧表面和所述栅电极的侧表面之间的侧绝缘层。

5.如权利要求4所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

第一接触插塞，位于所述导电区上并且电连接到所述导电区；以及

第二接触插塞，位于所述沟道上并且电连接到所述沟道。

6.如权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第二基底具有堆叠有所述栅电极的第一区以及在所述栅电极的下部中的第一栅电极比所述栅电极的上部中的第二栅电极长地延伸的第二区，

所述第二基底仅设置在所述第一区中。

7.如权利要求6所述的半导体装置，所述半导体装置还包括穿过所述第二区中的所述栅电极的虚设沟道，

其中，所述虚设沟道具有与所述沟道的结构不同的结构。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中，所述通过布线区位于所述第一区中。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述外围电路区包括位于所述第一基底上的下布线结构，

其中，所述通过接触插塞延伸到所述第二基底的下部并且连接到所述下布线结构。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电区包括与所述第二基底相同的材料。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电区包括多晶硅。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述通过接触插塞包括导电区中的成行的多个通过接触插塞中的一个通过接触插塞。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括位于所述存储器单元的外部并且连接到所述第二基底的基底接触插塞。

14.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述通过布线区包括彼此分隔开的多个通过布线区中的一个通过布线区。

15.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于所述通过接触插塞的上表面上的上布线。

16.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

外围电路区，位于第一基底上，并且包括至少一个电路器件；

存储器单元区，位于所述第一基底上的第二基底上，并且包括彼此分隔开并且垂直于所述第二基底的上表面堆叠的栅电极，以及穿过所述栅电极并且在垂直于所述第二基底的所述上表面的第一方向上延伸的沟道；以及

通过布线区，包括穿过所述栅电极并且连接到所述第二基底的导电区，以及穿过所述导电区且穿过所述第二基底并且在所述第一方向上延伸的通过接触插塞。