[发明专利]多重栅极功率MOSFET元件

权利要求书

1.一种功率MOSFET元件，包括：

一多重栅极晶体管，设置于一基底的上方，包括：

一第一晶体管单元，具有一第一漏极柱、一第一源极柱及一第一栅极导体，该第一栅极导体设置于该第一漏极柱与该第一源极柱之间；

一第二晶体管单元，具有一第二漏极柱、一第二源极柱及一第二栅极导体，该第二栅极导体设置于该第二漏极柱与该第二源极柱之间；以及

一第一绝缘体，设置于该基底的上方及该第一栅极导体与该第二栅极导体之间，其中该第一绝缘体将该第二栅极导体与该第一栅极导体电绝缘；

其中，该第一晶体管单元及该第二晶体管单元于操作期间共用一共源极及一共漏极，该第一栅极导体及该第二栅极导体的导电状态被分开控制，

其中，该第一栅极导体包括一沟槽式栅极，该沟槽式栅极围绕该第一漏极柱及该第一源极柱。

2.如权利要求1所述的功率MOSFET元件，其中，该第一栅极导体包括一绝缘材料，该绝缘材料将该沟槽式栅极与该第一漏极柱及该第一源极柱电绝缘。

3.如权利要求2所述的功率MOSFET元件，其中，该第一栅极导体包括一栅极氧化层，该栅极氧化层的一部分形成于该第一漏极柱及该第一源极柱的一侧壁的上方，该栅极氧化层将该绝缘材料与该第一漏极柱及该源极柱分开。

4.如权利要求3所述的功率MOSFET元件，其中，该第一绝缘体包括至少一侧壁，直接接触该绝缘材料及该栅极氧化层。

5.如权利要求1所述的功率MOSFET元件，其中，该第一绝缘体包括至少一侧壁，直接接触该基底。

6.如权利要求3所述的功率MOSFET元件，其中，该第一栅极导体的该栅极氧化层的一部分位于该基底的上方并且与该第一绝缘体共面。

7.如权利要求1所述的功率MOSFET元件，其中，该第一漏极柱包括一主体及一金属硅化物层，该金属硅化物层设置于该主体的上方。

8.如权利要求7所述的功率MOSFET元件，其中，该第一漏极柱的该主体包括一轻掺杂区及于该轻掺杂区的上方的一重掺杂区。

9.如权利要求8所述的功率MOSFET元件，其中，该第一漏极柱的该主体包括一N型掺杂。

10.如权利要求1所述的功率MOSFET元件，其中，该基底包括一双扩散层，设置于该第一漏极柱及该第一栅极导体的下方。

11.如权利要求10所述的功率MOSFET元件，其中，该双扩散层设置于该第一绝缘体的下方。

12.如权利要求2所述的功率MOSFET元件，其中，该第一源极柱包括一主体及一金属硅化物层，该金属硅化物层设置于该主体的上方。

13.如权利要求12所述的功率MOSFET元件，其中，该第一源极柱的该主体包括：

一井部分；

一中央部分，设置于该井部分的上方；以及

一壁部分，围绕该中央部分。

14.如权利要求13所述的功率MOSFET元件，其中，该中央部分包括一P型掺杂，该壁部分包括一N型掺杂。

15.如权利要求1所述的功率MOSFET元件，其中，该第一晶体管单元及该第二晶体管单元通过该第一绝缘体物理绝缘。

16.如权利要求1所述的功率MOSFET元件，还包括一第三晶体管单元，该第三晶体管单元具有一第三漏极柱、一第三源极柱及一第三栅极导体，该第三栅极导体设置于该第三漏极柱与该第三源极柱之间，该第三栅极导体通过一第二绝缘体与该第一栅极导体及该第二栅极导体电绝缘。