[发明专利]一种金属陶瓷厚膜电路的生产工艺有效
| 申请号： | 201910203865.0 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN109734481B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 周治华 | 申请（专利权）人： | 昆山福烨电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/14 | 分类号： | H05K3/14;C04B41/90 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属陶瓷 电路 生产工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种电路的线宽和线距为0.075mm、可耐最高电压2500V、可在850℃的烧结环境中使用的金属陶瓷厚膜电路的生产工艺，其特征在于，所述生产工艺包括以下步骤：
1)将陶瓷材料流延成陶瓷基片，所述陶瓷材料为氮化铝和/或氧化铝；
2)在步骤1)得到的陶瓷基片的表面磁控溅镀钛铜合金膜；
3)在步骤2)得到的金属膜的表面进行镀厚铜，所述镀厚铜的厚度为15～100μm；
4)在步骤3)镀厚铜后的基片上进行线路制作、钌系电阻印刷、干燥、烧结、调阻、外形加工，其中，所述烧结的温度为845～855℃，所述烧结的时间为1～3h；所述烧结的气氛为氮气和空气，所述氮气和空气的体积比为(90～95):(5～10)，得到所述金属陶瓷厚膜电路，所述金属陶瓷厚膜电路的厚度为120～150μm。
2.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，步骤1)中，所述陶瓷基片的厚度为0.375～1.2mm。
3.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，所述钛铜合金膜的厚度为3～5μm。
4.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，步骤4)中，所述干燥的温度为165～175℃，所述干燥的时间为0.5～1h。
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