[发明专利]通过3D堆叠解决方案的QFN上的SMD集成

权利要求书

1.一种器件，包括：

裸片焊盘；

引线，与所述裸片焊盘间隔开；

电部件，具有在所述裸片焊盘上的第一接触件和在所述引线上的第二接触件；

半导体裸片，在所述电部件上，所述半导体裸片通过所述电部件来与所述裸片焊盘间隔开；以及

导电线，所述半导体裸片通过所述导电线来电耦合到所述引线。

2.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

多个引线，与所述裸片焊盘间隔开；以及

多个电部件，每个电部件具有在所述裸片焊盘上的第一接触件和在所述多个引线中的相应引线上的第二接触件。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述裸片焊盘包括凹陷部分，并且所述电部件的所述第一接触件在所述凹陷部分中接触所述裸片焊盘。

4.根据权利要求3所述的器件，其中所述引线具有凹陷部分，并且所述电部件的所述第二接触件在所述凹陷部分中接触所述引线。

5.根据权利要求1所述的器件，进一步包括导电胶，所述导电胶将所述第一接触件电地且机械地耦合到所述裸片焊盘，并且将所述第二接触件电地且机械地耦合到所述引线。

6.根据权利要求1所述的器件，进一步包括封装材料，所述封装材料围绕所述半导体裸片、所述电部件、所述导电线并且在所述裸片焊盘和所述引线之上，其中所述引线的侧表面和底表面由所述封装材料保持暴露。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述电部件包括电阻器、电容器和电感器中的至少一个。

8.根据权利要求1所述的器件，进一步包括间隔件，所述间隔件在所述裸片焊盘上并且被定位在所述裸片焊盘与所述半导体裸片之间。

9.根据权利要求8所述的器件，其中所述间隔件是铜柱。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述裸片焊盘和所述引线是方型扁平无引线(QFN)引线框架的一部分。

11.根据权利要求10所述的器件，其中所述QFN引线框架是QFN多排引线框架。

12.一种方法，包括：

将多个电部件的第一端子电地且机械地耦合到方型扁平无引线(QFN)引线框架的相应引线；

将所述多个电部件的第二端子电地且机械地耦合到所述QFN引线框架的裸片焊盘；

将半导体裸片附接到所述多个电部件，所述半导体裸片通过所述多个电部件而与所述裸片焊盘间隔开，所述半导体裸片具有背离所述裸片焊盘的有源表面；以及

在所述半导体裸片的所述有源表面与所述QFN引线框架的所述引线之间形成引线接合。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：

将裸片支撑件附接到所述裸片焊盘，所述裸片支撑件被定位在所述裸片焊盘与所述半导体裸片之间；以及

将所述半导体裸片附接到所述裸片支撑件。

14.根据权利要求12所述的方法，其中将所述多个电部件的所述第一端子电地且机械地耦合到所述QFN引线框架的相应引线包括：将所述第一端子电地且机械地耦合到所述QFN引线框架的凹陷引线的相应凹陷表面，所述凹陷引线包括相对的第一表面和第二表面，所述凹陷表面位于所述第一表面与所述第二表面之间。

15.根据权利要求14所述的方法，其中将所述多个电部件的所述第二端子电地且机械地耦合到所述QFN引线框架的所述裸片焊盘包括：将所述第二端子电地且机械地耦合到所述裸片焊盘的相应凹陷表面，所述裸片焊盘的所述凹陷表面与所述凹陷引线的所述凹陷表面对准。