[发明专利]一种多级缩径籽晶的加工方法及多级缩径籽晶

说明书

本发明提供一种多级缩径籽晶的加工方法，所述多级缩径籽晶包括一级缩径段和二级缩径段，所述一级缩径与所述二级缩径的斜角为第一斜角，步骤包括：S1、取一等径母籽晶并划线；S2、在所述母籽晶一端外接辅助部形成一工件，将所述工件两端卡固在磨床上，所述磨床砂轮的外径面一侧设有倾斜的圆台面，所述圆台面的大径与所述砂轮外径相同，所述圆台面的小径朝外设置；所述圆台面的角度为第二斜角，所述第一斜角与所述第二斜角相同；S3、在所述母籽晶上靠近所述辅助部一端开始加工，选含有表面活性剂的冷却液进行冷却，获得所述多级缩径籽晶。采用本发明加工方法可保证多级缩径籽晶的加工精度及其表面稳定性，提高多级缩径籽晶的成品率。

技术领域

本发明属于单晶生产的技术领域，尤其是涉及一种多级缩径籽晶的加工方法及多级缩径籽晶。

背景技术

在现有的技术中单晶拉制所用的籽晶为等径籽晶，但在实际生产过程中，需要工人手动引晶才能实现晶体生长，但手动引晶成晶率不同，且手动引晶比较浪费工时，也会延长单晶硅晶体的生长周期，降低单晶硅晶体的生长效率。故提出一种多级缩径的籽晶结构，使用该结构的籽晶，因籽晶与硅溶液接触面积的缩小，不仅可降低单晶硅晶体生长周期，而且还大大降低了位错的产生。要获得高质量单晶硅晶体生长，合理设计多级缩径籽晶的结构及加工工艺是重要环节。在加工过程中，如何保证多级缩径籽晶的加工精度及籽晶表面的稳定性结构，直接影响后期晶体生长的关键内容。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种多级缩径籽晶的加工方法及多级缩径籽晶，尤其适合多级缩径籽晶的加工方法，保证多级缩减籽晶的加工精度及其表面稳定结构，提高多级缩径籽晶的成品率。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种多级缩径籽晶的加工方法，所述多级缩径籽晶依次包括头部、一级缩径段、中部、二级缩径段和尾部，所述一级缩径段与所述二级缩径段均为圆台柱面，所述一级缩径段与所述二级缩径段的倾斜角度相同，为第一倾斜角，所述加工方法步骤包括：

S1、取一等径母籽晶，并在所述母籽晶的体柱面上划线；

S2、在所述母籽晶一端外接一辅助部形成一工件，将所述工件两端固定在磨床上；所述磨床砂轮的外径面一侧设有倾斜的圆台面，另一侧为平圆面，所述圆台面的大径与所述砂轮外径相同，所述圆台面的小径朝外设置；所述圆台面的角度为第二倾斜角，所述第一倾斜角与所述第二倾斜角相同；

S3、在所述母籽晶靠近所述辅助部的一端开始进行逐级缩径加工，在加工过程中选用含有表面活性剂的冷却液进行冷却，获得所述多级缩径籽晶。

进一步的，所述S1包括在所述母籽晶的体柱面上的任一端面开始，依次按照所述头部、所述一级缩径段、所述中部、所述二级缩径段和所述尾部的长度进行划线。

进一步的，所述S2具体步骤包括：

S21、取一双侧端面平整的圆柱形辅助部，所述辅助部外径不大于所述头部外径。

S22、用粘胶液将所述母籽晶靠近所述头部一端与所述辅助部一端固定粘接在一起，凝固一定时间后形成一连体所述工件。

S23、将所述辅助部远离所述母籽晶的一端卡固在磨床卡盘上，将所述母籽晶远离所述辅助部的一端顶装在所述磨床的顶尖上。

进一步的，在所述S21中，所述辅助部外径与所述头部外径相同，所述辅助部由单晶废料制成。

进一步的，所述S3具体步骤为：

S31、调整所述砂轮至所述母籽晶靠近所述辅助部的一端，且所述圆台面位于靠近所述辅助部一侧；

S32、先用所述平圆面加工出所述头部，再用所述圆台面加工出所述一级缩径段，然后再分别用所述平圆面和所述圆台面依次交替加工出所述中部、所述二级缩径段和所述尾部。