[发明专利]弹性波装置有效
| 申请号： | 201910207419.7 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN110289827B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 佐治真理 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/25 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朴云龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 弹性 装置 | ||
1.一种弹性波装置，作为主模而利用瑞利波，具备：
压电体基板，具有主面；
IDT电极，形成在所述压电体基板的所述主面上；
第一氧化硅膜，形成在所述压电体基板上，使得覆盖所述IDT电极；
高声速电介质膜，形成在所述第一氧化硅膜上或所述压电体基板上，使得覆盖所述第一氧化硅膜，传播的纵波声速与在所述第一氧化硅膜传播的纵波声速相比为高速；以及
第二氧化硅膜，形成在所述高声速电介质膜上，
所述压电体基板的材料为铌酸锂，
所述高声速电介质膜与所述IDT电极分离，且在将所述第一氧化硅膜的厚度设为t1并将所述第二氧化硅膜的厚度设为t2的情况下，所述高声速电介质膜形成于在所述压电体基板的厚度方向上距所述主面的距离为(t1+t2)×0.42以下的位置。
2.一种弹性波装置，作为主模而利用瑞利波，具备：
压电体基板，具有主面；
IDT电极，形成在所述压电体基板的所述主面上；
第一氧化硅膜，形成在所述压电体基板上，使得覆盖所述IDT电极；
高声速电介质膜，形成在所述第一氧化硅膜上或所述压电体基板上，使得覆盖所述第一氧化硅膜；以及
第二氧化硅膜，形成在所述高声速电介质膜上，
所述压电体基板的材料为铌酸锂，
所述高声速电介质膜与所述IDT电极分离，且在将所述第一氧化硅膜的厚度设为t1并将所述第二氧化硅膜的厚度设为t2的情况下，所述高声速电介质膜形成于在所述压电体基板的厚度方向上距所述主面的距离为(t1+t2)×0.42以下的位置，
所述高声速电介质膜包含氮化硅、氮化铝、氧化铝、碳化硅以及类金刚石碳中的至少一种材料。
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