[发明专利]弹性波装置

说明书

本发明在抑制IDT电极的耐功率性的下降的同时降低成为瑞利波的杂散的西沙瓦波的强度。IDT电极(3)形成在压电体基板(2)上。第一氧化硅膜(4)形成在压电体基板(2)上，使得覆盖IDT电极(3)。高声速电介质膜(5)形成在第一氧化硅膜(4)上，使得覆盖第一氧化硅膜(4)。第二氧化硅膜(6)形成在高声速电介质膜(5)上。压电体基板(2)的材料为铌酸锂。在高声速电介质膜(5)中，传播的纵波声速与在第一氧化硅膜(4)传播的纵波声速相比为高速。高声速电介质膜(5)形成于在压电体基板(2)的厚度方向(D1)上距第一主面(21)的距离为(t1+t2)×0.42以下的位置。

技术领域

本发明一般地涉及弹性波装置，更详细地，涉及具备压电体基板以及氧化硅膜的弹性波装置。

背景技术

以往，已知有作为主模而利用瑞利波的弹性波装置(声表面波装置)(例如，参照专利文献1)。

专利文献1所记载的弹性波装置具备LiNbO₃基板、至少包含IDT电极的电极、第一氧化硅膜以及第二氧化硅膜。电极形成在LiNbO₃基板上。第一氧化硅膜形成在形成有电极的区域以外的剩余的区域，使得与电极的膜厚相等。第二氧化硅膜形成为覆盖电极以及第一氧化硅膜。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2007/097186号

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1所记载的弹性波装置中，存在如下的问题，即，在比瑞利波的反谐振频率靠高频率侧产生成为瑞利波的杂散(spurious)的西沙瓦波。

本发明的目的在于，提供一种能够在抑制IDT电极的耐功率性的下降的同时降低成为瑞利波的杂散的西沙瓦波的强度的弹性波装置。

用于解决课题的技术方案

本发明的一个方式涉及的弹性波装置作为主模而利用瑞利波。所述弹性波装置具备：压电体基板、IDT电极、第一氧化硅膜、高声速电介质膜以及第二氧化硅膜。所述压电体基板具有主面。所述IDT电极形成在所述压电体基板的所述主面上。所述第一氧化硅膜形成在所述压电体基板上，使得覆盖所述IDT电极。所述高声速电介质膜形成在所述第一氧化硅膜上或所述压电体基板上，使得覆盖所述第一氧化硅膜。在所述高声速电介质膜中，传播的纵波声速与在所述第一氧化硅膜传播的纵波声速相比为高速。所述第二氧化硅膜形成在所述高声速电介质膜上。所述压电体基板的材料为铌酸锂。所述高声速电介质膜与所述IDT电极分离。所述高声速电介质膜形成于在所述压电体基板的厚度方向上距所述主面的距离为(t1+t2)×0.42以下的位置。t1为所述第一氧化硅膜的厚度，t2为所述第二氧化硅膜的厚度。

本发明的另一个方式涉及的弹性波装置作为主模而利用瑞利波。所述弹性波装置具备压电体基板、IDT电极、第一氧化硅膜、高声速电介质膜以及第二氧化硅膜。所述压电体基板具有主面。所述IDT电极形成在所述压电体基板的所述主面上。所述第一氧化硅膜形成在所述压电体基板上，使得覆盖所述IDT电极。所述高声速电介质膜形成在所述第一氧化硅膜上或所述压电体基板上，使得覆盖所述第一氧化硅膜。所述第二氧化硅膜形成在所述高声速电介质膜上。所述压电体基板的材料为铌酸锂。所述高声速电介质膜与所述IDT电极分离。所述高声速电介质膜形成于在所述压电体基板的厚度方向上距所述主面的距离为(t1+t2)×0.42以下的位置。t1为所述第一氧化硅膜的厚度，t2为所述第二氧化硅膜的厚度。所述高声速电介质膜包含氮化硅、氮化铝、氧化铝、碳化硅以及类金刚石碳中的至少一种材料。

发明效果

根据本发明，能够在抑制IDT电极的耐功率性的下降的同时降低成为瑞利波的杂散的西沙瓦波的强度。

附图说明