[发明专利]一种复合载网及其制备方法

权利要求书

1.一种复合载网，包括一钼环作为支持基底，基底之上依次为导电胶、坐标铜网、方华膜、导电碳膜、氮化硅膜、导电碳膜；

所述钼环为内径1.4-1.6mm的圆形孔；

所述复合载网是通过如下方法制备的：

1)选用一钼环作为支持基底；

2)将导电胶涂于上述钼环任一侧，之后将涂有导电胶的一侧扣于坐标铜网，并用玻片按压平整，自然干燥；

3)将方华膜置于盛有蒸馏水的烧杯中，方华膜会漂浮在水面上，将未涂有导电胶的坐标铜网面朝下均匀地摆放在方华膜上，按压坐标铜网使其与方华膜贴紧，用滤纸覆盖整个膜，当滤纸刚湿透时提起，坐标铜网与方华膜一起粘附在滤纸上离开水面，并进行烘干；

4)在上述未与坐标铜网连接的方华膜一侧镀上一层导电碳膜；

5)由NH₃和SiH₄通过化学气相沉积在未与方华膜连接的导电碳膜表面生成一层氮化硅膜；

6)在上述未与导电碳膜连接的氮化硅膜表面再次镀上一层导电碳膜。

2.如权利要求1所述的复合载网，其特征在于，所述复合载网的直径为3-3.2mm，厚度为80-100μm。

3.如权利要求1所述的复合载网，其特征在于，所述坐标铜网为200目，孔径为95-105μm的坐标铜网，孔中心距为115-135μm，肋宽为25-35μm，厚度为28-32μm。

4.如权利要求1所述的复合载网，其特征在于，所述方华膜为软性材质，其厚度为15-20nm。

5.如权利要求1所述的复合载网，其特征在于，所述氮化硅膜由NH₃和SiH₄通过化学气相沉积反应在所述复合载网基板上生成，厚度为50-55nm。

6.如权利要求1所述的复合载网，其特征在于，所述导电碳膜为软性材质，其厚度为9-20nm。

7.制备权利要求1所述复合载网的方法，包括以下步骤：

1)选用一钼环作为支持基底，所述钼环为内径1.4-1.6mm的圆形孔；

2)将导电胶涂于上述钼环任一侧，之后将涂有导电胶的一侧扣于坐标铜网，并用玻片按压平整，自然干燥；

3)将方华膜置于盛有蒸馏水的烧杯中，方华膜会漂浮在水面上，将未涂有导电胶的坐标铜网面朝下均匀地摆放在方华膜上，按压坐标铜网使其与方华膜贴紧，用滤纸覆盖整个膜，当滤纸刚湿透时提起，坐标铜网与方华膜一起粘附在滤纸上离开水面，并进行烘干；

4)在上述未与坐标铜网连接的方华膜一侧镀上一层导电碳膜；

5)由NH₃和SiH₄通过化学气相沉积在未与方华膜连接的导电碳膜表面生成一层氮化硅膜；

6)在上述未与导电碳膜连接的氮化硅膜表面再次镀上一层导电碳膜。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述烘干温度为58-62℃。

9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤4)与步骤6)中导电碳膜的制备采用真空镀膜系统。