[发明专利]集成电路装置

说明书

本公开实施例提供一种集成电路装置，包含：一基板；一鳍片，延伸自所述基板；一栅极，设置于所述鳍片上且具有朝向所述鳍片设置的一底部分和设置于所述底部分上的一顶部分；以及一衬层，设置于所述栅极的底部分的一侧表面上，使得所述栅极的顶部分没有衬层。

技术领域

本公开实施例涉及半导体制造技术，且特别涉及具有能产生通道应变的衬层的集成电路装置。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)产业已经历快速成长。在集成电路演进的历程中，当几何尺寸(亦即工艺中所能创造出最小的元件或线路)缩减时，功能密度(亦即单位芯片面积的内连接装置数量)通常也增加。这种尺寸微缩的工艺通常通过提高生产效率及降低相关成本而提供一些效益。然而，这样的尺寸微缩也增加了包含这些集成电路的装置在加工和制造上的复杂度。制造上的平行进步使得越来越复杂的设计能够以精确和可靠的方式制造。

举例来说，制造上的进步使得三维设计成为可能，例如鳍式场效晶体管(fin-likefield effect transistor；FinFET)。可以将鳍式场效晶体管设想为从基板突出(extrudedout)并进入栅极的典型平面装置。示例性鳍式场效晶体管具有从基板向上延伸的薄“鳍片”(或鳍片结构)。场效晶体管(FET)的通道区域形成于此垂直鳍片中，且栅极设置于鳍片的通道区域之上(例如包覆(wrapping around))。以鳍片包覆住栅极增加了通道区域和栅极之间的接触面积，并允许栅极从多个侧面控制通道。这可以通过多种方式实现，并且在一些应用中，鳍式场效晶体管提供降低的短通道效应、减少的漏电(leakage)和更高的电流。换句话说，它们可以比平面装置更快、更小、更有效率。

鳍式场效晶体管和平面装置都可受益于生产最适化，例如应变工程(strainengineering)，其形成应变产生(strain-generating)层以对装置的一部分施加应力，借此改善电荷载子通过装置的通道区域的流动。

发明内容

根据本公开的一实施例，提供一种集成电路装置，包含：基板；鳍片，延伸自所述基板；栅极，设置于所述鳍片上且具有朝向所述鳍片设置的底部分和设置于所述底部分上的顶部分；以及衬层，设置于所述栅极的底部分的侧表面上，使得所述栅极的顶部分没有衬层。

根据本公开的另一实施例，提供一种集成电路装置，包含：基板；一对源极/漏极部件，设置于所述基板上；栅极，设置于该对源极/漏极部件之间；以及衬层，设置于每一对源极/漏极部件上且沿着所述栅极的第一部分延伸，使得所述栅极的第二部分没有衬层。

又根据本公开的另一实施例，提供一种集成电路装置的制造方法，包含：接收基板，所述基板具有设置于其上的占位栅极；形成衬层，沿着所述占位栅极的侧表面的第一部分延伸，使得所述侧表面的第二部分没有衬层，其中所述衬层被配置以产生通道应变；以及以功能性栅极取代所述占位栅极。

附图说明

通过以下的详细描述配合说明书附图，可以更加理解本公开实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1是根据本公开实施例的各个面向示出制造具有应变产生衬层的工件的方法流程图。

图2A、图3A、图4A、图5A、图6A、图7A、图8A、图9A、图10A和图11A是根据本公开实施例的各个面向示出在制造方法中的各个点用于形成非平面装置的工件的第一区域的剖面图。

图2B、图3B、图4B、图5B、图6B、图7B、图8B、图9B、图10B和图11B是根据本公开实施例的各个面向示出在制造方法中的各个点用于形成非平面装置的工件的第二区域的剖面图。

图12A、图13A和图14A是根据本公开实施例的各个面向示出在制造方法中的各个点用于形成平面装置的工件的第一区域的剖面图。