[发明专利]用于结合基底的真空吸盘和设备以及结合基底的方法在审
申请号: | 201910210566.X | 申请日: | 2019-03-20 |
公开(公告)号: | CN110729227A | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 孙沂周;金圣协 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结合基 吸盘板 隔板 温度控制构件 真空吸盘 基底 区域接触 真空孔 收缩 膨胀 | ||
1.一种用于结合基底的真空吸盘,所述真空吸盘包括:
吸盘板,包括真空孔以保持基底;
隔板,布置在吸盘板中,隔板将吸盘板划分为多个区域;以及
温度控制构件,位于所述多个区域中的每个区域中,温度控制构件独立地控制每个区域中的温度,以使基底的与每个区域接触的部分选择性地膨胀或收缩。
2.根据权利要求1所述的真空吸盘,其中,隔板从吸盘板的中心点径向延伸。
3.根据权利要求2所述的真空吸盘,其中,隔板彼此间隔开均匀的角度。
4.根据权利要求2所述的真空吸盘,其中,温度控制构件平行于吸盘板的底部并相对于吸盘板的中心点沿径向方向延伸。
5.根据权利要求1所述的真空吸盘,其中,隔板包括绝热材料。
6.根据权利要求1所述的真空吸盘,其中,温度控制构件包括在所述多个区域中的每个区域中的热管。
7.根据权利要求1所述的真空吸盘,其中,温度控制构件包括在所述多个区域中的每个区域中的珀耳帖元件。
8.一种用于结合基底的设备,所述设备包括:
上真空吸盘,包括上真空孔以保持上基底;
下真空吸盘,包括:吸盘板,布置在上真空吸盘之下,并且具有下真空孔以保持下基底;隔板,布置在吸盘板中,隔板将吸盘板划分为多个区域;以及温度控制构件,位于所述多个区域中的每个区域中,温度控制构件独立地控制每个区域中的温度,以使下基底的与每个区域接触的部分选择性地膨胀或收缩;以及
结合销,布置在上真空吸盘之上以将上基底压向下基底。
9.根据权利要求8所述的设备,其中,隔板从吸盘板的中心点径向延伸,并且隔板彼此间隔开均匀的角度。
10.根据权利要求8所述的设备,其中,隔板包括绝热材料。
11.根据权利要求8所述的设备,其中,上真空孔位于上真空吸盘的边缘部分处。
12.根据权利要求8所述的设备,其中,上真空吸盘包括通道,结合销穿过通道。
13.根据权利要求12所述的设备,其中,通道通过上真空吸盘。
14.根据权利要求8所述的设备,所述设备还包括覆盖测量单元以测量上基底的上接触件与下基底的下接触件之间的覆盖。
15.根据权利要求14所述的设备,其中,温度控制构件根据覆盖独立地加热或冷却区域,以使上接触件与下接触件对准。
16.根据权利要求8所述的设备,所述设备还包括研磨单元以部分地去除上基底和/或下基底的背面。
17.根据权利要求8所述的设备,所述设备还包括退火单元以使上基底和下基底退火。
18.一种结合基底的方法,所述方法包括以下步骤:
利用上真空吸盘和下真空吸盘使上参考基底和下参考基底彼此结合;
测量上参考基底的上参考接触件与下参考基底的下参考接触件之间的参考覆盖;
将上基底保持到上真空吸盘;
将下基底保持到下真空吸盘;
根据参考覆盖选择性地加热或冷却下真空吸盘中的区域,以使下基底的与所述区域对应的部分选择性地膨胀或收缩,从而使上基底的上接触件与下基底的下接触件彼此对准;以及
使上基底与下基底彼此结合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造