[发明专利]用于结合基底的真空吸盘和设备以及结合基底的方法

说明书

提供了用于结合基底的真空吸盘和设备以及结合基底的方法。所述用于结合基底的真空吸盘包括：吸盘板，包括真空孔以保持基底；隔板，布置在吸盘板中，隔板将吸盘板划分为多个区域；以及温度控制构件，位于多个区域中的每个区域中，温度控制构件独立地控制每个区域中的温度，以使基底的与每个区域接触的部分选择性地膨胀或收缩。

于2018年7月16日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0082137号且名称为“用于结合基底的真空吸盘、包括真空吸盘的用于结合基底的设备和使用真空吸盘结合基底的方法”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

示例实施例涉及用于结合基底的真空吸盘、包括真空吸盘的用于结合基底的设备和使用真空吸盘结合基底的方法。更具体地，示例实施例涉及用于结合半导体基底的真空吸盘、包括真空吸盘的用于结合半导体基底的设备和使用真空吸盘结合半导体基底的方法。

背景技术

为了提高半导体器件的集成度，可以利用结合设备来堆叠包括多个半导体芯片的上半导体基底和下半导体基底。堆叠的上半导体基底和下半导体基底的接触件可以彼此电连接。结合设备可以包括：用于利用真空来保持下半导体基底的下真空吸盘、用于利用真空来保持上半导体基底的上真空吸盘以及用于将上半导体基底压向下半导体基底的结合销。

发明内容

根据示例实施例，可以提供一种用于结合基底的真空吸盘。所述真空吸盘可以包括吸盘板、多个隔板和温度控制构件。吸盘板可以包括用于保持基底的多个真空孔。隔板可以布置在吸盘板中以将吸盘板划分为多个区域。温度控制构件可以布置在每个区域中，以独立地控制区域的温度，从而使基底的与区域接触的部分选择性地膨胀或收缩。

根据示例实施例，可以提供一种用于结合基底的设备。所述设备可以包括上真空吸盘、下真空吸盘和结合销。上真空吸盘可以包括用于保持上基底的上真空孔。下真空吸盘可以包括吸盘板、多个隔板和温度控制构件。吸盘板可以包括用于保持下基底的多个下真空孔。隔板可以布置在吸盘板中，以将吸盘板划分为多个区域。温度控制构件可以布置在每个区域中，以独立地控制区域的温度，从而使下基底的与区域接触的部分选择性地膨胀或收缩。结合销可以布置在上真空吸盘之上以将上基底压向下基底。

根据示例实施例，可以提供一种结合基底的方法。在结合基底的方法中，可以利用上真空吸盘和下真空吸盘使上参考基底和下参考基底彼此结合。可以对上参考基底中的上参考接触件与下参考基底中的下参考接触件之间的参考覆盖进行测量。上真空吸盘可以保持上基底。下真空吸盘可以保持下基底。可以根据参考覆盖选择性地加热或冷却下真空吸盘中的区域，以使下基底的与所述区域对应的部分选择性地膨胀或收缩，从而使上接触件与下接触件彼此对准。然后可以使上基底与下基底彼此结合。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得明显，在附图中：

图1示出根据示例实施例的用于结合基底的设备的示意性剖视图；

图2示出图1中的设备的上真空吸盘的仰视图；

图3示出图1中的设备的下真空吸盘的平面图；

图4示出图3中的下真空吸盘的剖视图；

图5和图6示出结合的上基底和下基底的接触件的剖视图；

图7示出根据示例实施例的结合设备的下真空吸盘的剖视图；

图8示出图7中的真空吸盘的珀耳帖(Peltier)元件的框图；

图9示出根据示例实施例的结合设备的下真空吸盘的剖视图；以及

图10至图19示出使用图1中的设备来结合基底的方法中的阶段的剖视图。

具体实施方式