[发明专利]读取非易失性存储器的方法和存储设备

权利要求书

1.一种读取非易失性存储设备的方法，所述非易失性存储设备包括具有三维结构的多个存储单元，该方法包括：

使用多个读取电压来读取所选择的存储单元；

在多个读取数据单元的两个读取数据单元之间执行XOR运算，所述多个读取数据单元中的每个对应于所述多个读取电压；

基于XOR运算的结果中的第一逻辑值的数目，来确定所选择的存储单元的阈值电压的概率密度函数；以及

基于概率密度函数来确定所选择的存储单元的最佳读取电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述执行XOR运算包括：

对与多个读取电压中的第一读取电压相关联的第一数据单元的数据比特和多个读取电压中的第二读取电压相关联的第二数据单元的数据比特执行XOR运算，以对具有多个读取电压中的第一读取电压与多个读取电压中的第二读取电压之间的阈值电压的存储单元的数目进行计数，

其中，第一数据单元和第二数据单元的数据比特与所选择的存储单元的同一列对应。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多个读取电压中的第一读取电压和第二读取电压的平均值被决定为坐标值的第一分量，且存储单元的数目被决定为坐标值的第二分量。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述确定概率密度函数包括：

基于XOR运算的结果而获得多个坐标值；以及使用多个坐标值来确定所选择的存储单元的阈值电压的概率密度函数。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

所述概率密度函数与所选择的存储单元的状态之间的分布谷对应；并且

所述概率密度函数被建模为阈值电压的二次函数或三次函数。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述二次函数的导出基于多个读取电压中的至少四个读取电压的读取结果。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述三次函数的导出基于多个读取电压中的至少五个读取电压的读取结果。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在非易失性存储设备中执行所述XOR运算。

9.一种读取具有三维结构的非易失性存储设备的方法，该方法包括：

使用第一读取电压、大于第一读取电压的第二读取电压、大于第二读取电压的第三读取电压和大于第三读取电压的第四读取电压来读取所选择的存储单元；

执行通过第一读取电压读取的第一数据与通过第二读取电压读取的第二数据之间的XOR运算、第二数据与通过第三读取电压读取的第三数据之间的XOR运算和第三数据与通过第四读取电压读取的第四数据之间的XOR运算中的每个XOR运算；

基于XOR运算的结果，对所选择的存储单元的阈值电压建模分布谷函数；以及

基于分布谷函数的斜率是“0”处的阈值电压的搜索操作，确定所选择的存储单元的最佳读取电压。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述非易失性存储设备执行XOR运算并输出XOR运算的每个结果。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述非易失性存储设备执行XOR运算并输出在XOR运算的每个结果中包括的逻辑“1”的数目。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，建模分布谷函数包括：

通过代入XOR运算的结果以对关于分布谷函数的联立方程求解而产生分布谷函数。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括：

使用大于第四读取电压的第五读取电压来读取所选择的存储单元；以及

执行第四数据与通过第五读取电压读取的第五数据之间的XOR运算，

其中，通过使用第一数据到第四数据来对与二次函数对应的分布谷函数建模，并且

其中，通过使用第一数据到第五数据来对与三次函数对应的分布谷函数建模。