[发明专利]读取非易失性存储器的方法和存储设备

说明书

提供了一种存储系统及其读取方法，所述存储系统包括：比特计数器和回归分析器。比特计数器被配置为基于使用多个不同的读取电压从所选择的存储单元中读取的数据来生成多个计数值，所述多个计数值中的每一个指示具有多个不同的读取电压中的一对读取电压之间的阈值电压的、存储设备的存储单元的数目。回归分析器被配置为使用回归分析而基于所述多个计数值来为所选择的存储单元确定读取电压。

本申请是申请日为2013年10月25日、申请号为201310511873.4、发明名称为“使用回归分析的半导体存储系统及其读取方法”的发明专利申请的分案申请。

对相关申请的交叉引用

本申请根据U.S.C§119要求于2012年10月25日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0119106的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

在此描述的发明概念涉及半导体存储设备，更具体地，涉及能够高速决定读取电平的存储系统及其读取方法。

背景技术

半导体存储设备可以是易失性的或非易失性的。易失性半导体存储设备可以高速执行读取和写入操作，而存储在其中的内容在断电时可能丢失。非易失性半导体存储设备即使在断电时也可以保留在其中存储的内容。非易失性半导体存储设备可以用来存储无论是否加电都必须被保留的内容。

闪速存储设备可以是典型的非易失性半导体存储设备。闪速存储设备可以被广泛用作诸如计算机、蜂窝电话机、PDA、数码相机、摄像机、语音记录器、MP3播放器、手持PC、游戏机、传真机、扫描仪、打印机等的信息装置的语音和图像数据存储介质。

随着对大容量存储设备的需求的增加，多电平单元(MLC)或每单元存储多比特数据的多比特存储设备变得越来越常见。然而，MLC存储设备中的存储单元必须在有限的电压窗口中具有与四个或更多个可区分的数据状态相对应的阈值电压。为了提高数据完整性，用于区分数据状态的读取电压的电平必须被调整为具有最佳值。

发明内容

本发明概念的至少一个示例实施例提供了一种非易失性存储设备的读取方法，包括：分别使用不同的读取电压来对所选择的存储单元执行读取操作；基于使用所述不同的读取电压读取的数据来对每个阈值电压带中的存储单元的数目进行计数；基于计数结果来决定与所选择的存储单元的阈值电压相对应的概率密度函数的坐标值；基于所述坐标值来获得所述概率密度函数的系数；以及将概率密度函数的斜率是“0”处的坐标点的阈值电压决定为所选择的存储单元的读取电压。

本发明概念的另一个示例实施例提供了一种存储系统，包括：非易失性存储设备，被配置为响应于包括读取电平信息的读取命令从所选择的存储单元中读取数据；以及存储器控制器，被配置为基于所读取的数据来获得关于所选择的存储单元的阈值电压的概率密度函数，以及通过对从所述概率密度函数导出的函数的分析来决定所选择的存储单元的读取电压。

至少一个其他示例实施例提供一种存储系统，包括：比特计数器，被配置为基于使用多个不同的读取电压从所选择的存储单元中读取的数据来生成多个计数值，所述多个计数值中的每一个指示具有所述多个不同的读取电压中的一对读取电压之间的阈值电压的、存储设备的存储单元的数目；以及回归分析器，被配置为使用回归分析基于所述多个计数值来为所选择的存储单元确定读取电压。

根据至少一些示例实施例，所述比特计数器可以被配置为通过对多个逻辑结果数据的每一个中具有第一逻辑值的比特的数目进行计数来生成所述多个计数值，所述多个逻辑结果数据的每一个是使用所述多个不同的读取电压从所选择的存储单元中读取的数据之间的逻辑运算的结果。

所述回归分析器可以进一步被配置为基于所述多个计数值来获得概率密度函数，以及基于所述概率密度函数来确定所述读取电压。

所述回归分析器可以进一步被配置为基于所述概率密度函数的最小值来确定所述读取电压。