[发明专利]多层陶瓷电子组件阵列有效
申请号: | 201910213074.6 | 申请日: | 2019-03-20 |
公开(公告)号: | CN111029144B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 金起荣;赵范俊;朴祥秀;申旴澈 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30;H01G4/38 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 金光军;何巨 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 陶瓷 电子 组件 阵列 | ||
1.一种多层陶瓷电子组件阵列,所述多层陶瓷电子组件阵列包括:
多个多层陶瓷电子组件,均包括陶瓷主体以及第一外电极和第二外电极,所述陶瓷主体包括堆叠的介电层以及第一内电极和第二内电极,且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,所述陶瓷主体包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面,所述第一内电极和所述第二内电极分别交替地暴露于所述第三表面和所述第四表面,所述第一外电极和所述第二外电极设置在所述陶瓷主体的所述第三表面和所述第四表面上并分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极;
第一端子结构,电连接到所述多个多层陶瓷电子组件的第一外电极;
第二端子结构,电连接到所述多个多层陶瓷电子组件的第二外电极;
第一导电结合构件,将所述多个多层陶瓷电子组件的所述第一外电极和所述第一端子结构结合;
第二导电结合构件,将所述多个多层陶瓷电子组件的所述第二外电极和所述第二端子结构结合;以及
第一陶瓷结合构件,接触所述多个多层陶瓷电子组件中在所述第三方向上彼此相邻的两个多层陶瓷电子组件中的一个多层陶瓷电子组件的所述陶瓷主体的所述第五表面和另一多层陶瓷电子组件的所述陶瓷主体的所述第六表面并延伸到所述陶瓷主体的所述第二表面。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件阵列,其中,相邻的多层陶瓷电子组件的所述第一外电极彼此接触,并且
相邻的多层陶瓷电子组件的所述第二外电极彼此接触。
3.根据权利要求2所述的多层陶瓷电子组件阵列,其中,所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向分别为所述陶瓷主体的宽度方向、长度方向和厚度方向,并且
其中,所述多个多层陶瓷电子组件沿所述陶瓷主体的所述厚度方向堆叠。
4.根据权利要求3所述的多层陶瓷电子组件阵列,其中,所述第一陶瓷结合构件包括第一延伸区和第二延伸区,所述第一延伸区设置为向所述陶瓷主体中的每个的所述第三表面偏置,所述第二延伸区设置为向所述陶瓷主体中的每个的所述第四表面偏置。
5.根据权利要求3所述的多层陶瓷电子组件阵列,其中,所述第一陶瓷结合构件包括延伸区,所述延伸区设置在所述陶瓷主体的所述第二表面的在所述陶瓷主体的所述长度方向上的中部处。
6.根据权利要求5所述的多层陶瓷电子组件阵列,其中,当所述第一陶瓷结合构件的接触所述一个多层陶瓷电子组件的所述陶瓷主体的所述第五表面和所述另一多层陶瓷电子组件的所述陶瓷主体的所述第六表面中的每个的面积被定义为A并且所述第一陶瓷结合构件的接触所述陶瓷主体的所述第二表面中的每个的面积被定义为B时,
(A+B)/A为1.05或更大。
7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电子组件阵列,其中,所述第一端子结构的至少一部分朝向所述第二端子结构弯曲,并且
所述第二端子结构的至少一部分朝向所述第一端子结构弯曲。
8.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子组件阵列,其中,所述第一导电结合构件包括第一部分,所述第一导电结合构件的所述第一部分接触所述第一端子结构的垂直于所述陶瓷主体的所述长度方向的表面和所述多个多层陶瓷电子组件中的每个的所述第一外电极的垂直于所述陶瓷主体的所述长度方向的表面,并且
所述第二导电结合构件包括第一部分,所述第二导电结合构件的所述第一部分接触所述第二端子结构的垂直于所述陶瓷主体的所述长度方向的表面和所述多个多层陶瓷电子组件中的每个的所述第二外电极的垂直于所述陶瓷主体的所述长度方向的表面。
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