[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于具备：

集电极层，是第1导电型半导体；

基极层，是第2导电型半导体，且与所述集电极层相接；

发射极层，是所述第1导电型半导体，且与所述基极层相接；

第1电极，与所述基极层导通；

第1电阻元件，在所述第1电极与所述基极层的导电路径上，串联连接于所述第1电极；

第2电极，与所述发射极层及所述第1电阻元件的两者导通；

第2电阻元件，在所述第1电阻元件与所述第2电极的导电路径上，串联连接于所述第1电阻元件；及

保护元件，相对于所述第1电阻元件并联连接于所述第1电极；且

所述保护元件包含以导电路径上的两端相互成为同一极性的方式通过pn接合构成的一对二极管；

所述半导体元件还具备：

绝缘层，配置于厚度方向的一侧，且与所述集电极层、所述基极层及所述发射极层中的各者相接；及

第1配线层，串联连接于所述第1电阻元件，且配置于所述绝缘层之上；且

所述第1配线层与所述基极层相接；

所述第1电极配置于所述绝缘层之上，且从所述厚度方向观察时与所述基极层重叠；

所述保护元件位于所述基极层与所述第1电极之间，且与所述基极层及所述第1电极的两者相接。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中

所述保护元件具有：接点部，是所述第2导电型半导体，且与所述基极层相接；及多个环状部，从所述厚度方向观察时，各自包围所述接点部；

所述多个环状部包含：多个第1环状部，是所述第1导电型半导体；及多个第2环状部，是所述第2导电型半导体；

所述多个环状部是交替配置有所述多个第1环状部及所述多个第2环状部的各者，

从所述厚度方向观察时，位于最内侧的所述多个环状部中的任一个是与所述接点部相接的所述多个第1环状部中的任一个，

从所述厚度方向观察时，位于最外侧的所述多个环状部中的任一个是与所述第1电极及所述第1电阻元件的两者相接的所述多个第2环状部中的任一个。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其中

所述基极层兼具所述保护元件的一部分。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其中

所述第1电阻元件及所述保护元件被所述绝缘层覆盖。

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其中

所述保护元件的构成材料包括多晶硅。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其中

所述第1电阻元件及所述第2电阻元件的各自的构成材料包括多晶硅。

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其还具备：

第3电极，配置于所述厚度方向的另一侧，且与所述集电极层导通。