[发明专利]半导体元件

说明书

本发明提供一种能够避免串联连接于基极电极的电阻元件遭受静电破坏的半导体元件。半导体元件(A10)具备：集电极层(11)，是第1导电型半导体；基极层(12)，是第2导电型半导体，且与集电极层(11)相接；发射极层(13)，是所述第1导电型半导体，且与基极层(12)相接；第1电极(31)，与基极层(12)导通；第1电阻元件(41)，在第1电极(31)与基极层(12)的导电路径上，串联连接于第1电极(31)；第2电极(32)，与基极层(12)及第1电阻元件(41)两者导通；及保护元件(50)，相对于第1电阻元件(41)并联连接于第1电极(31)；保护元件(50)包含以导电路径上的两端都成为同一极性的方式通过pn接合构成的一对二极管。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件，该半导体元件是具备串联连接于基极电极的电阻元件的双极晶体管。

背景技术

对于便携终端等电子设备，为了抑制消耗电力，要求其具有能够以相对较低的基极-发射极间电压而动作的双极晶体管。专利文献1中揭示了这种双极晶体管的一个例子。专利文献1中所揭示的双极晶体管是将基极-发射极间电压转换成基极电流的电阻串联连接于基极电极。通过该电阻，相对于相对较低的基极-发射极间电压，所输出的集电极电流的响应成为线性状态，因此双极晶体管的动作稳定。

将基极-发射极间电压转换成基极电流的电阻能够连同双极晶体管一起组装进一个半导体元件中。这种半导体元件有时被称作数字晶体管。该半导体元件具备串联连接于基极电极的电阻元件。该电阻元件大多由作为薄膜的多晶硅构成，因此对于静电来说相对较为脆弱。从而，存在该电阻元件被静电破坏的风险。若该电阻元件被破坏，则相对于基极-发射极间电压，所输出的集电极电流的响应成为非线性状态，因此该半导体元件的动作不稳定，或停止动作。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开平10-209763号公报

发明内容

[发明要解决的问题]

本发明的课题在于：鉴于所述情况，提供一种能够避免串联连接于基极电极的电阻元件遭受静电破坏的半导体元件。

[解决问题的技术手段]

根据本发明，提供一种半导体元件，其特征在于具备：集电极层，是第1导电型半导体；基极层，是第2导电型半导体，且与所述集电极层相接；发射极层，是所述第1导电型半导体，且与所述基极层相接；第1电极，与所述基极层导通；第1电阻元件，在所述第1电极与所述基极层的导电路径上，串联连接于所述第1电极；第2电极，与所述发射极层及所述第1电阻元件两者导通；及保护元件，相对于所述第1电阻元件并联连接于所述第1电极；所述保护元件包含以导电路径上的两端都成为同一极性的方式通过pn接合构成的一对二极管。

在本发明的实施中，优选如下构成，即，还具备绝缘层，该绝缘层配置于所述厚度方向的一侧，且与所述集电极层、所述基极层及所述发射极层都相接；所述第1电极配置于所述绝缘层之上。

在本发明的实施中，优选如下构成，即，还具备第1配线层，该第1配线层串联连接于所述第1电阻元件，且配置于所述绝缘层之上；所述第1配线层与所述基极层相接。

在本发明的实施中，优选如下构成，即，所述第1电阻元件的构成材料包括多晶硅。

在本发明的实施中，优选如下构成，即，所述第1电极从所述厚度方向观察与所述基极层重叠；所述保护元件在所述厚度方向上，位于所述基极层与所述第1电极之间，且与所述基极层及所述第1电极两者相接。