[发明专利]扇出型LED的封装结构及封装方法在审
申请号: | 201910215007.8 | 申请日: | 2019-03-20 |
公开(公告)号: | CN109742223A | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 陈彦亨;林正忠 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L25/075 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 重新布线层 封装 封装结构 金属凸块 第二面 扇出型 超高分辨率 透明封装层 电极 包覆 电性 扇出 小线 侧面 制作 | ||
1.一种扇出型LED的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:
重新布线层,所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面;
LED芯片,结合于重新布线层的第二面,所述LED芯片的电极与所述重新布线层连接;
透明封装层,至少包覆所述LED芯片的侧面;
金属凸块,形成于所述重新布线层的第一面,以通过所述重新布线层实现所述LED芯片的电性引出。
2.根据权利要求1所述的扇出型LED的封装结构,其特征在于:所述LED芯片包括RGB三基色LED芯片。
3.根据权利要求1所述的扇出型LED的封装结构,其特征在于:所述LED芯片呈阵列排列于所述重新布线层的第二面。
4.根据权利要求1所述的扇出型LED的封装结构,其特征在于:所述透明封装层的材料包括硅胶以及环氧树脂中的一种。
5.根据权利要求1所述的扇出型LED的封装结构,其特征在于:所述金属凸块包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。
6.一种电子显示屏,其特征在于,所述电子显示屏包含如权利要求1~5任意一项所述的扇出型LED的封装结构。
7.根据权利要求6所述的电子显示屏,其特征在于:所述电子显示屏的点距不大于0.5mm。
8.一种晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于,所述封装方法包括步骤:
1)提供一支撑基底,于所述支撑基底上形成分离层;
2)提供LED芯片,将所述LED芯片固定于所述分离层,所述LED芯片的电极朝向所述分离层;
3)采用透明封装层封装所述LED芯片;
4)提供一临时衬底,将所述透明封装层固定于所述临时衬底上;
5)基于所述分离层剥离所述LED芯片及所述支撑基底,露出所述透明封装层及所述LED芯片的电极;
6)在所述透明封装层及所述LED芯片上制作重新布线层,所述重新布线层的第一面与所述LED芯片的电极连接;
7)于所述重新布线层的第二面形成金属凸块,以通过所述重新布线层实现所述LED芯片的电性引出;
8)去除所述临时衬底。
9.根据权利要求8所述的晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于:所述LED芯片包括RGB三基色LED芯片。
10.根据权利要求8所述的晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于:步骤2)中的所述LED芯片呈阵列排列。
11.根据权利要求8所述的晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于:所述支撑基底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种。
12.根据权利要求8所述的晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于:所述临时衬底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种。
13.根据权利要求8所述的晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于:所述分离层包括光热转换层,步骤5)采用激光照射所述光热转换层,以使所述光热转换层与所述透明封装层及所述支撑基底分离,进而剥离所述透明封装层及所述支撑基底。
14.根据权利要求8所述的晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于:采用透明封装层封装所述LED芯片的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种,所述透明封装层的材料包括硅胶以及环氧树脂中的一种。
15.根据权利要求8所述的晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于:所述金属凸块包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。
16.根据权利要求8所述的晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于:还包括切割的步骤,以获得独立的扇出型LED的封装结构。
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