[发明专利]一种用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器在审
| 申请号： | 201910216626.9 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109802299A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 梁海波;章力明;马军涛;劳燕峰 | 申请（专利权）人： | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/042;H01S5/34 |
| 代理公司： | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人： | 刘抗美 |
| 地址： | 266555 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件主体 轻度掺杂层 波导层 布拉格光栅激光器 硅光子电路 光栅 分布反馈 重度掺杂 激光器 反射面 高功率 金属层 衬底 激光器技术领域 输出光功率 高反射面 节能环保 后端面 前端面 电极 射出 嵌入 能耗 激光 改进 | ||
1.一种用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器，其特征在于，包括：器件主体，所述器件主体的底部设有衬底，所述衬底上部设有波导层，所述波导层上方设有轻度掺杂层，所述轻度掺杂层内部的前端嵌入有光栅，所述轻度掺杂层的上方设有重度掺杂层，所述重度掺杂层的上方设有P金属层，所述P金属层的上方与电极相连接；所述器件主体的后端面为高反射面，所述器件主体的前端面为低反射面，所述器件主体中所产生的激光通过所述波导层中的光栅从所述低反射面射出。
2.根据权利要求1所述的用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器，其特征在于，所述电极的面积大于P金属层，在所述P金属层的水平面上，所述P金属层与所述电极不接触的区域中填充有间隔层。
3.根据权利要求2所述的用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器，其特征在于，所述波导层中设有量子阱结构，所述量子阱结构包括：
由三个以上相互隔离的量子阱构成的量子阱部，相邻的量子阱之间的隔离均距离相等；所述量子阱部顶部的两侧分别与第一平台层相接，所述第一平台层的外侧接有第二平台层，所述第二平台层高于所述第一平台层。
4.根据权利要求3所述的用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器，其特征在于，所述第一平台层、第二平台层和量子阱由不同的材料构成。
5.根据权利要求4所述的用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器，其特征在于，所述量子阱之间的隔离宽度大于所述量子阱的宽度，所述第一平台层的宽度与所述第二平台层的宽度相同。
6.根据权利要求5所述的用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器，其特征在于，所述衬底由铟磷材料构成。
7.根据权利要求6所述的用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器，其特征在于，所述器件主体的前端面与后端面之间的距离为1毫米。
8.根据权利要求7所述的用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器，其特征在于，所述光栅的透光率为30％。
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