[发明专利]一种用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器

说明书

本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器，其包括：器件主体，器件主体的底部设有衬底，衬底上部设有波导层，波导层上方设有轻度掺杂层，轻度掺杂层内部的前端嵌入有光栅，轻度掺杂层的上方设有重度掺杂层，重度掺杂层的上方设有P金属层，P金属层的上方与电极相连接；器件主体的后端面为高反射面，器件主体的前端面为低反射面，器件主体中所产生的激光通过波导层中的光栅从低反射面射出；本发明通过对激光器的构造进行了改进，使其在满足了输出光功率的需求同时，极大地降低了输入激光器的功率，其极大地降低了能耗，满足了当今社会对节能环保的要求。

技术领域

本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器。

背景技术

硅光子技术是一种基于硅光子学的低成本、高速的光通信技术，其通过硅基光芯片实现计算机和其它电子设备之间的光信息发送和接收。由于硅基光芯片中的硅光子电路与III-V族化合物之间的插入损耗很大，而且在硅光子电路中，单个光源需要驱动多个通道，故其需要很高的功率特性来保证接收端有良好的误码率。

目前，III-V族激光仍是硅基光芯片的主流光源。因为焦点对齐的偏差导致光源与硅基光芯片之间耦合效率低，由于光斑不匹配，以及拓扑结构的多级并联或串联级联功能部分硅电路，故其需要增大激光的输入大功率以弥补光损失以及提高接收端的输出光功率；因此，其能耗较高。

发明内容

为克服上述缺陷，本发明的目的即在于提供一种能有效提高输出功率的分布反馈布拉格光栅激光器。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

本发明是一种用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器，其包括：

器件主体，所述器件主体的底部设有衬底，所述衬底上部设有波导层，所述波导层上方设有轻度掺杂层，所述轻度掺杂层内部的前端嵌入有光栅，所述轻度掺杂层的上方设有重度掺杂层，所述重度掺杂层的上方设有P金属层，所述P金属层的上方与电极相连接；所述器件主体的后端面为高反射面，所述器件主体的前端面为低反射面，所述器件主体中所产生的激光通过所述波导层中的光栅从所述低反射面射出。

本发明通过对激光器的构造进行了改进，使其在满足了输出光功率的需求同时，极大地降低了输入激光器的功率，其极大地降低了能耗，满足了当今社会对节能环保的要求。

附图说明

为了易于说明，本发明由下述的较佳实施例及附图作详细描述。

图1为本发明激光器的横截面结构示意图；

图2为本发明激光器部分区域的纵截面结构示意图；

图3为本发明激光器中的量子阱结构的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。