[发明专利]一种发射机控制保护系统

权利要求书

1.一种发射机控制保护系统，其特征在于，包括温度检测和控制单元(100)，电流检测和控制单元(101)，逻辑门(102)，高压驱动器(103)，脉宽调制控制器(104)，VEE欠压保护器(105)，高功率电阻R(106)，PMOSFET开关管(107)，功率放大器(108)，电源管理单元(109)，功放栅极驱动单元(110)；

温度检测和控制单元(100)的输出端与逻辑门(102)输入端相连；

电流检测和控制单元(101)的输入端与高功率电阻R(106)的一端相连；

电流检测和控制单元(101)的输出端与逻辑门(102)输入端相连；

逻辑门(102)的输入端与脉宽调制控制器(104)的输出端相连；

逻辑门(102)的输入端同时与VEE欠压保护器(105)的输出端相连；

逻辑门(102)的输出端与高压驱动器(103)的输入端相连；

高压驱动器(103)的输出端与PMOSFET开关管(107)的栅极相连；

高压驱动器(103)的输出端同时与PMOSFET开关管(107)的漏极相连；

脉宽调制控制器(104)的输入端与TTL输入信号端相连；

高功率电阻R(106)的一端与电源VCC相连；

高功率电阻R(106)的另一端与PMOSFET开关管(107)的源极相连；

PMOSFET开关管(107)的漏极与功率放大器(108)的输入端相连；

功率放大器(108)的另一端接地；

电源管理单元(109)跟需要供电的单元相连；

功放栅极驱动单元(110)的输出端与功率放大器(108)的输入端相连；

温度检测和控制单元(100)利用片上或者片外温度传感器，将温度信号电平移位放大后，再经模数转换存于寄存器中，同时比较器输出过温控制信号；电流检测和控制单元(101)利用片外高功率电阻R(106)，将电压信号电平移位放大后，再经模数转换存于寄存器中，同时比较器输出过流控制信号；逻辑门(102)对过温、过流、脉宽调制信号、VEE欠压控制信号进行处理，控制高压驱动器(103)的输出，其输出控制PMOSFET开关管(107)的栅极；当关闭PMOSFET开关管(107)时，功率放大器(108)无供电；脉宽调制控制器(104)用于对输入TTL信号进行脉宽和占空比检测；VEE欠压保护器(105)检测VEE信号，当VEE信号过低时关闭高压驱动器(103)的信号；电源管理单元(109)给温度检测和控制单元(100)、电流检测和控制单元(101)、逻辑门(102)、高压驱动器(103)以及脉宽调制控制器(104)供电；功放栅极驱动单元(110)产生的基准电压经过预放大和驱动后给功率放大器(108)提供直流偏置。

2.根据权利要求1所述的一种发射机控制保护系统，其特征在于，所述温度检测和控制单元(100)包括温度传感器、开关、电平移位放大器、模数转换器、比较器、寄存器、接口SPI；所述温度传感器包括片上温度传感器和片外温度传感器；片上温度传感器和片外温度传感器的输出端分别和开关的输入端相连，开关的输出和电平移位放大器的输入端相连；电平移位放大器的输出端和模数转换器的输入端相连；电平移位放大器的输出端同时和比较器的输入端相连；模数转换器的输出端和寄存器的输入端相连；比较器的输入端和寄存器的输出端相连；比较器的输出端同时输出过温控制逻辑给逻辑门(102)；寄存器通过接口SPI进行通信，温度检测和控制单元有片外和片上温度传感器检测两种模式可以选择，内置高精度电平移位放大器和模数转换器，电平移位放大器用于信号的放大和共模电平的转换，模数转换器将放大后的模拟信号转换为数字信号，存储于寄存器中；当检测的温度过高时，相对设定的温度阈值，可通过接口SPI调整，比较器输出的逻辑电平经过逻辑门和高压驱动器后关闭PMOSFET开关管。