[发明专利]一种发射机控制保护系统

说明书

本发明公开了一种发射机控制保护系统，包括温度检测和控制单元，电流检测和控制单元，逻辑门，高压驱动器，脉宽调制控制器，VEE欠压保护器，高功率电阻，PMOSFET开关管，功率放大器，电源管理单元，功放栅极驱动单元；本发明提供了一种多功能的发射机驱动控制和健康保护方案，实现每个组件通道的同时检测，能有效的为雷达发射机系统提供保护。相对于传统的发射机控制保护方案更灵活，集成度更高，能够满足不同的发射机控制保护需求。

技术领域

本发明涉及一种发射机控制保护系统，属于集成电路设计与制造技术领域。

背景技术

随着雷达系统小型化、集成化需求的发展，对高集成度阵面的检测和健康管理变得越来越重要。现有雷达系统采用的是统一检测方法，即对整体进行性能和功能检测，尚不能对组件通道进行参数检测和详细的控制，无法满足系统运行过程中的精准检测与保护的需求。

发明内容

针对以上问题，本发明提供了一种多功能的发射机驱动控制和健康保护方案，实现每个组件通道的同时检测，能有效的为雷达发射机系统提供保护。相对于传统的发射机控制保护方案更灵活，集成度更高，能够满足不同的发射机控制保护需求。

为了解决以上问题，本发明采用了如下技术方案：一种发射机控制保护系统，包括温度检测和控制单元，电流检测和控制单元，逻辑门，高压驱动器，脉宽调制控制器，VEE欠压保护器，高功率电阻R，PMOSFET开关管，功率放大器，电源管理单元，功放栅极驱动单元；

温度检测和控制单元的输出端与逻辑门输入端相连；

电流检测和控制单元的输入端与高功率电阻R的一端相连；

电流检测和控制单元的输出端与逻辑门输入端相连；

逻辑门的输入端与脉宽调制控制器的输出端相连；

逻辑门的输入端同时与VEE欠压保护器的输出端相连；

逻辑门的输出端与高压驱动器的输入端相连；

高压驱动器的输出端与PMOSFET开关管的栅极相连；

高压驱动器的输出端同时与PMOSFET开关管的漏极相连；

脉宽调制控制器的输入端与TTL输入信号端相连；

高功率电阻R的一端与电源VCC相连；

高功率电阻R的另一端与PMOSFET开关管的源极相连；

PMOSFET开关管的漏极与功率放大器的输入端相连；

功率放大器的另一端接地；

电源管理单元跟需要供电的单元相连；

功放栅极驱动单元的输出端与功率放大器的输入端相连；

温度检测和控制单元利用片上或者片外温度传感器，将温度信号电平移位放大后，再经模数转换存于寄存器中，同时比较器输出过温控制信号；电流检测和控制单元利用片外高功率电阻R，将电压信号电平移位放大后，再经模数转换存于寄存器中，同时比较器输出过流控制信号；逻辑门对过温、过流、脉宽调制信号、VEE欠压控制信号等进行处理，控制高压驱动器的输出，其输出控制PMOSFET开关管的栅极；当关闭PMOSFET开关管时，功率放大器无供电；脉宽调制控制器用于对输入TTL信号进行脉宽和占空比检测；VEE欠压保护器检测VEE信号，当VEE信号过低时关闭高压驱动器的信号；电源管理单元给温度检测和控制单元、电流检测和控制单元、逻辑门、高压驱动器以及脉宽调制控制器供电；功放栅极驱动单元产生的基准电压经过预放大和驱动后给功率放大器提供直流偏置。