[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底及凸出于所述衬底的鳍部；

栅极，横跨所述鳍部，所述栅极两侧露出部分所述鳍部顶部；

第一侧墙，位于所述栅极侧壁上，所述第一侧墙覆盖所述栅极露出的所述鳍部顶部；

第一源漏掺杂区，位于所述衬底上，所述第一源漏掺杂区内掺有第一掺杂离子，所述第一源漏掺杂区侧壁与所述鳍部侧壁间具有凹槽；

第二源漏掺杂区，覆盖所述凹槽底部，所述第二源漏掺杂区内掺有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的浓度小于所述第一掺杂离子浓度。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂离子为P型离子或N型离子，所述第二掺杂离子为P型离子或N型离子，所述第一掺杂离子与所述第二掺杂离子的类型相同。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂离子浓度与所述第二掺杂离子浓度的差值为4.9E19atoms/cm³～4.99E20atoms/cm³。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂离子浓度为5E19atoms/cm³～5E20atoms/cm³。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二掺杂离子浓度为1E18atoms/cm³～1E19atoms/cm³。

6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一源漏掺杂区厚度小于所述鳍部厚度。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第三源漏掺杂区，所述第三源漏掺杂区覆盖所述第一源漏掺杂区顶部及所述第二源漏掺杂区顶部表面。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部厚度为所述第一源漏掺杂区厚度的2倍至3倍。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一源漏掺杂区厚度等于或大于所述鳍部厚度。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第三源漏掺杂区，所述第三源漏掺杂区位于所述第二源漏掺杂区顶部且填充满所述凹槽。

11.如权利要求6至10任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部厚度为50nm～70nm。

12.如权利要求7或10所述的半导体结构，其特征在于，所述第三源漏掺杂区内掺有第三掺杂离子，所述第三掺杂离子的浓度大于所述第一掺杂离子浓度。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第三掺杂离子为P型离子或N型离子，所述第三掺杂离子与所述第一掺杂离子的类型相同。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第三掺杂离子浓度为1E20atoms/cm³～1E21atoms/cm³。

15.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿平行于所述鳍部延伸方向，所述凹槽的宽度为6nm～10nm。