[发明专利]一种半导体器件测试装置及系统在审

专利信息
申请号: 201910218627.7 申请日: 2019-03-21
公开(公告)号: CN109839581A 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 王举贵;林敏之 申请(专利权)人: 王举贵;林敏之
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 200433 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电阻 第一端 半导体器件测试装置 半导体器件 合成单元 驱动单元 双脉冲 信号发生器 电源连接 降低干扰 源极连接 栅极连接 端接地 示波器 减小 漏极 测试
【权利要求书】:

1.一种半导体器件测试装置,其特征在于,包括:双脉冲合成单元、驱动单元、第一电阻和第二电阻;

所述双脉冲合成单元的第一端与信号发生器连接,所述双脉冲合成单元的第二端与所述驱动单元的第一端连接;

所述驱动单元的第二端与被测半导体器件的栅极连接;

所述第一电阻的第一端与第一电源连接,所述第一电阻的第二端与所述被测半导体器件的漏极连接;

所述第二电阻的第一端与所述被测半导体器件的源极连接;

所述第二电阻的第二端接地;

所述第一电阻的第二端、所述第二电阻的第一端以及所述被测半导体器件的栅极分别与示波器连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件测试装置,其特征在于,还包括:隔离芯片;

所述双脉冲合成单元的第二端通过所述隔离芯片与所述驱动单元的第一端连接。

3.根据权利要求1所述的半导体器件测试装置,其特征在于,还包括:电容;

所述电容的第一端与所述第一电阻的第一端连接,所述电容的第二端与所述第二电阻的第二端连接。

4.根据权利要求3所述的半导体器件测试装置,其特征在于,所述电容包括无感储能电容。

5.根据权利要求1所述的半导体器件测试装置,其特征在于,还包括:栅极电阻;

所述驱动单元的第二端通过所述栅极电阻与所述被测半导体器件的栅极连接。

6.根据权利要求3所述的半导体器件测试装置,其特征在于,还包括:电路板;

所述电容位于所述电路板的第一表面,所述双脉冲合成单元、所述第一电阻、所述第二电阻以及所述驱动单元位于所述电路板的第二表面;

所述第一表面与所述第二表面相对设置。

7.根据权利要求1所述的半导体器件测试装置,其特征在于,还包括:第一电源、第二电源、示波器以及信号发生器;

所述第一电源的第一端与所述第一电阻的第一端连接,所述第一电源的第二端与所述第二电阻的第二端连接;

所述第二电源与所述驱动单元连接;

所述示波器分别与所述第一电阻的第二端、所述第二电阻的第一端以及所述被测半导体器件的栅极连接。

8.根据权利要求7所述的半导体器件测试装置,其特征在于,所述第一电源和所述第二电源包括电压可调节电源。

9.一种半导体器件测试系统,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的半导体器件测试装置。

10.根据权利要求9所述的半导体器件测试系统,其特征在于,还包括:控制单元和局域网交换机;

所述控制单元通过所述局域网交换机与所述半导体器件测试装置连接;或者,

还包括:控制单元和PCI总线;

所述控制单元通过PCI总线与所述半导体器件测试装置连接。

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