[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置及其成像方法有效
申请号: | 201910219792.4 | 申请日: | 2019-03-21 |
公开(公告)号: | CN109830495B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 邱海军;何月娣;唐国强;张振华 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225;H04N5/232 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 成丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 成像 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,其包括:
衬底基板,以及设置在所述衬底基板上方的用于遮光的金属层、第一源极漏极金属层、第二源极漏极金属层、平坦层、像素界定层;
设置在衬底基板上方的多个成像小孔和传感器单元,其中,所述成像小孔位于所述传感器单元的上方,且每个所述成像小孔与每个所述传感器单元一一对应;
在启动拍摄模式时,入射光线透过成像小孔,在传感器单元中形成与待拍摄对象倒立的图像,成像小孔的大小和传感器单元到成像小孔之间的距离决定着成像的清晰度,其中,所述传感器单元设置成不同的厚度,所述成像小孔位于所述用于遮光的金属层中。
2.一种阵列基板,其特征在于,其包括:
衬底基板,以及设置在所述衬底基板上方的用于遮光的金属层、第一源极漏极金属层、第二源极漏极金属层、平坦层、像素界定层;
设置在衬底基板上方的多个成像小孔和传感器单元,其中,所述成像小孔位于所述传感器单元的上方,且每个所述成像小孔与每个所述传感器单元一一对应;
在启动拍摄模式时,入射光线透过成像小孔,在传感器单元中形成与待拍摄对象倒立的图像,成像小孔的大小和传感器单元到成像小孔之间的距离决定着成像的清晰度,其中,所述传感器单元设置成不同的厚度,所述成像小孔位于所述衬底基板上方的所述第二源极漏极金属层中。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,在所述像素界定层上设置多个开口;
所述开口的在所述衬底基板上的正投影与所述成像小孔的在所述衬底基板上的正投影不重叠。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述成像小孔的厚度为3~4微米;和/或,所述成像小孔的直径为5~10微米。
5.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,其包括:在衬底基板上通过蒸镀工艺形成多个传感器单元;所述传感器单元包括通过蒸镀工艺形成不同的厚度的感光层;
在所述传感器单元的上方通过构图工艺形成用于遮光的金属层;
在所述用于遮光的金属层中形成多个成像小孔,其中,每个所述成像小孔与每个所述传感器单元一一对应,在启动拍摄模式时,入射光线透过成像小孔,在传感器单元中形成与待拍摄对象倒立的图像,成像小孔的大小和传感器单元到成像小孔之间的距离决定着成像的清晰度;
在所述用于遮光的金属层的上方通过构图工艺形成第一源极漏极金属层、第二源极漏极金属层;
通过构图工艺形成平坦层;
通过构图工艺形成像素界定层。
6.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,其包括:在衬底基板上通过蒸镀工艺形成多个传感器单元;所述传感器单元包括通过蒸镀工艺形成不同的厚度的感光层;
在所述传感器单元的上方通过构图工艺形成用于遮光的金属层;
在用于遮光的金属层的上方通过构图工艺形成第一源极漏极金属层、第二源极漏极金属层;
在所述第二源极漏极金属层中形成多个成像小孔,其中,每个所述成像小孔与每个所述传感器单元一一对应,在启动拍摄模式时,入射光线透过成像小孔,在传感器单元中形成与待拍摄对象倒立的图像,成像小孔的大小和传感器单元到成像小孔之间的距离决定着成像的清晰度;
通过构图工艺形成平坦层;
通过构图工艺形成像素界定层。
7.根据权利要求5或6所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在所述像素界定层上形成多个开口,所述开口的在所述衬底基板上的正投影与所述成像小孔的在所述衬底基板上的正投影不重叠。
8.一种显示装置,其特征在于,其包括如权利要求1-4中任一项所述的阵列基板。
9.一种成像方法,其特征在于,其应用于如权利要求8所述的显示装置,该方法包括:
响应于拍照模式启动信号,根据获取的图像信息确定成像区域,所述成像区域包括至少一个与所述图像信息对应的传感器单元,所述图像信息包括待拍摄对象的物距或者所述传感器单元的焦距;
通知与所述图像信息对应的所述传感器单元进行成像工作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的